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          GaN器件和AMO技術(shù)推動(dòng)實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬

          作者: 時(shí)間:2014-05-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/259466.htm

          隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目和地理覆蓋范圍的擴(kuò)大,部分對(duì)于更的 需求不斷增長。無線所消耗的功率超過了基站運(yùn)行所需功率的一半。通過提來減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì),首先,最明顯的優(yōu)勢(shì)是降低了運(yùn)營成本,同 時(shí),更少的廢熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求和更高的可靠性。如果能夠減少對(duì)溫升問題的關(guān)注度,那么無線運(yùn)營商為了應(yīng)對(duì)4G和未來技術(shù)所帶來的無線數(shù)據(jù)使用量 的大幅增加而選建設(shè)新基站時(shí),其在選址方面會(huì)更加靈活。


          圖1: 具有四種幅值級(jí)別的AMO調(diào)制技術(shù)的理論效率,對(duì)比兩級(jí) AMO和 “一級(jí)”移相(或稱為LINC,即“具有非線性成分的線性放大”)。

          但是,更高的效率要求4G無線信號(hào)擁有更和高線性,為了解決這個(gè)問題,最近新創(chuàng)企業(yè)Eta Devices正在為一項(xiàng)在麻省理工學(xué)院(MIT)開發(fā)的技術(shù):非對(duì)稱多級(jí)移相(asymmetric multilevel outphasing, AMO) 技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化開發(fā)。此將移相技術(shù)的高線性配備了提升效率、多級(jí)別、分立開關(guān)的漏極偏置電壓。分立開關(guān)漏極偏置電壓是支持、同時(shí)保持高效 率的關(guān)鍵所在,而這也是這項(xiàng)技術(shù)超越傳統(tǒng)包絡(luò)跟蹤技術(shù)的最大優(yōu)勢(shì)。圖1顯示了如何實(shí)現(xiàn)效率提升,超越單獨(dú)的移相技術(shù)。

          在任何移相系統(tǒng)中,最大化的效率是通過單個(gè)的性能獲取的。在大功率放大器設(shè)計(jì)中,Eta Devices公司使用GaN HEMT器件,這種器件的實(shí)際峰值漏極效率超過了80%。選用GaN技術(shù)是因?yàn)槠渚哂邢啾痊F(xiàn)有硅器件的更好性能,后者在相同條件下峰值漏極效率僅勉強(qiáng)超過70%。

          配合高性能RF放大器,電源開關(guān)系統(tǒng)必須針對(duì)具有最小瞬變的低損耗開關(guān)而優(yōu)化,系統(tǒng)的時(shí)序是非常重要的,這就需要管理每個(gè)信號(hào)和控制路徑中的延遲。一旦正確地同步,Eta Devices的專有數(shù)字預(yù)失真(DPD)技術(shù)就成為了實(shí)現(xiàn)4G系統(tǒng)的嚴(yán)苛相鄰信道功率比 (ACPR)規(guī)范的關(guān)鍵。這種架構(gòu)已經(jīng)在多種功率級(jí)別和應(yīng)用中實(shí)施,包括用于手機(jī)和WLAN傳送器的1W PA(功率放大器)到用于基站的100W PA,并使用了多種半導(dǎo)體材料如GaN、GaA和硅材料。

          AMO對(duì)比ET工作

          目前,業(yè)界有兩種眾所周知通過非線性功率放大器來實(shí)現(xiàn)線性放大的方法,就是移相 (outphasing) 和包絡(luò)跟蹤(ET)。移相使用了兩個(gè)在恒幅下工作的相位調(diào)制放大器,輸入信號(hào)可轉(zhuǎn)換為特征相位并送至放大器,其輸出是組合的,以便相位成分的增強(qiáng)和刪除能 夠準(zhǔn)確復(fù)制輸入的信號(hào)。在實(shí)踐中,移相需要功率組合器,能夠?yàn)槊總€(gè)PA提供一致的負(fù)載;在放大器之間實(shí)現(xiàn)隔離,并提供大功率處理能力。這些特性可能難以實(shí) 現(xiàn),尤其是在寬頻帶上。移相的另一個(gè)限制就是具有高峰值平均功率比 (peak-to-average power ratio)(低平均功率輸出)的信號(hào)會(huì)導(dǎo)致效率降低,因?yàn)樽栊载?fù)載浪費(fèi)并消耗了許多放大器功率。

          ET將RF信號(hào)分成單獨(dú)的 相位角和振幅成分。PA在飽和模式下工作,通常為開關(guān)模式之一,例如Class E。相位調(diào)制應(yīng)用于RF驅(qū)動(dòng),而為PA供電的DC電源則通過振幅包絡(luò)進(jìn)行調(diào)制,因此相位和振幅同時(shí)在輸出端還原。盡管ET非常普及,但它仍然受到4G和 WLAN標(biāo)準(zhǔn)越來越多的帶寬要求的挑戰(zhàn)。對(duì)于ET來說,問題的關(guān)鍵是電源調(diào)制器,必須在許多不同的性能方面有所提升。它必須處理大量功率、效率很高、具有 高線性度、具有高分辨率、在系統(tǒng)中幾乎不產(chǎn)生噪聲,并且支持寬頻調(diào)制?,F(xiàn)代的無線標(biāo)準(zhǔn)需要增加帶寬而不放松任何其它性能要求,使得只采用ET技術(shù)的方案的 未來前景受到懷疑。

          移相和包絡(luò)跟蹤的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)已由AMO解決,后者結(jié)合了移相和包絡(luò)跟蹤的最合適特性來改進(jìn)性能。圖2所示為 AMO方框圖,圖2a顯示了基本功能;圖2b闡述了典型的實(shí)施方案。它從信號(hào)處理開始,提供相位調(diào)制信號(hào)給功率放大器,而功率放大器具有多級(jí)電源調(diào)制器。 放大了的信號(hào)的輸出結(jié)合了保持非線性PA的高線性度。


          圖2: AMO方框圖。


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