專用高頻E類功率放大器的研究

4.測試結(jié)果及分析

測試芯片在DCS、GSM頻段內(nèi)工作狀況經(jīng)過頻譜分析儀截圖可以看出在高脈沖電壓下其輸出信號波形如圖4、圖5所示，從截圖中可以看出信號在 1800MHz的時候得到了放大且大小約為34dBm,800MHz的時候得到了放大且大小約為33dBm,滿足了信號經(jīng)過芯片放大后在DCS下應(yīng)該達到 32dBm以上GSM應(yīng)達到30dBm以上，從波形中可以看出經(jīng)過放大的信號沒有明顯的雜散現(xiàn)象說明芯片在高脈沖的時候能夠很好的將輸入信號進行放大。

當(dāng)脈沖電壓是一個低電壓時，即GSM條件下令脈沖電壓值為0.55V而DCS條件下脈沖電壓值為0.45V.DCS和GSM頻段輸入信號經(jīng)過功率放 大后的輸出波形分別如圖6和圖7所示，從圖6中可以看出信號在1800MHz時得到了放大效果其值達到了11dBm以上，達到了功率放大器在小脈沖電壓下 功率放大要求。GSM下低脈沖電壓輸出波形如圖7所示，從圖中可以看出信號在800MHz處得到了放大，其值在6dBm以上，達到了放大器在小脈沖電壓下 的功率放大要求。

因此芯片在高低脈沖電壓下都能很好的將DCS和GSM信號進行功率放大且放大后的信號無雜散。

5.總結(jié)

本次實驗?zāi)M手機信號功率放大，對高頻E類功率放大器進行了測試實驗，通過觀察輸出信號的變化判定芯片是否能正常工作，測試效果良好。