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          英特爾公布下一代芯片技術(shù) 低功耗成亮點

          作者: 時間:2014-08-18 來源:中國電子報 收藏

            2006年進(jìn)入酷睿時代之后,Intel就堅持(幾乎)每年交替升級CPU架構(gòu)和制造工藝,也就是廣為熟知的Tick-Tock。Broadwell屬于其中的Tick,也就是工藝升級、架構(gòu)基本不變,明年的Skylake則是另一次Tock,工藝不變,架構(gòu)革新。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/261875.htm

            正式發(fā)布了全新14nm,并將其命名為Broadwell。由于Broadwell代表的是生產(chǎn)工藝的提升,而非新的芯片設(shè)計,能耗的減少將成為其一大賣點。新的工藝技術(shù)讓得以在保持能耗的同時提升了芯片性能,或是在保存性能的前提下降低能耗。

          英特爾公布下一代芯片技術(shù) 低功耗成亮點

            Broadwell是基于14納米制程的首款處理器,14納米制程使用第二代FinFET(三柵級)技術(shù),其晶體管以3D格式堆疊。不過,英特爾量產(chǎn)時遇到了困難,導(dǎo)致Broadwell推遲發(fā)布。

            英特爾表示,相比Haswell芯片,Broadwell在IPC(InstructionPerClock,即CPU每一時鐘周期內(nèi)所執(zhí)行的指令多少)上的提升只有5%。而在圖形性能方面,Broadwell將會得到大幅提升,計算性能和采樣相比Haswell分別提升了20%和50%,而視頻質(zhì)量引擎的提升更是達(dá)到了后者的兩倍。

          英特爾公布下一代芯片技術(shù) 低功耗成亮點

            相比使用22nm技術(shù)的Haswell,英特爾的14nm工藝將能耗降低了25%。而后者在每瓦性能上卻比Haswell高出了兩倍還多。英特爾還加入了第二代的FIVR集成穩(wěn)壓設(shè)計,以優(yōu)化低壓下的效率。在芯片包裝的X和Y軸上,英特爾實現(xiàn)了超過50%的瘦身,從而將尺寸壓縮到了30x16.5x1.04mm,而芯片重量也得到了30%的額外縮減。

            睿頻技術(shù)(短時超頻以加快任務(wù)處理速度,然后進(jìn)入低功耗模式)同樣也得到了升級。Haswell的PL2模式可在系統(tǒng)高功耗下運行數(shù)秒時間,而新的PL3模式進(jìn)一步提升了峰值性能——但持續(xù)時間僅為幾微秒。此外,英特爾還大幅提升了重新設(shè)計的I/O功能。

            Broadwell本身還對系統(tǒng)部件(處理器、顯卡、系統(tǒng)風(fēng)扇、Wi-Fi芯片、內(nèi)存、電源適配器等)的信息通訊進(jìn)行了優(yōu)化,以實現(xiàn)跨越整個系統(tǒng)的電源管理優(yōu)化,從而將續(xù)航最大化。

            IvyBridge、Haswell上的GPU分別是第七代、七代半,Broadwell是在它們基礎(chǔ)上的繼續(xù)改進(jìn),但還不足以稱之為第八代,因為底層架構(gòu)幾乎完全相同的,只是在規(guī)模、性能、功能、技術(shù)上深入增強(qiáng)。API支持方面已經(jīng)和NVIDIA、AMD處于同一檔次,完全支持DX11.2(以及OpenGL4.3),甚至還領(lǐng)先于NVIDIA的開普勒、麥克斯韋架構(gòu)。

            計算方面,Broadwell確認(rèn)支持尚未公布的OpenCL2.0,包括共享虛擬內(nèi)存,大大提升計算性能。英特爾雖然沒有類似AMDHSA那樣的可編程異構(gòu)架構(gòu),但至少可以在BroadwellCPU與GPU之間直接共享復(fù)雜數(shù)據(jù)了,而不用來回拷貝。

            雖然這次英特爾只是披露了CoreM系列的相關(guān)信息,而沒有公布針對服務(wù)器市場的Broadwell產(chǎn)品。但是我們相信在CoreM成功部署在平板電腦和筆記本以及臺式機(jī)上,服務(wù)器版的Broadwell產(chǎn)品也將會被及時推出。

          英特爾公布下一代芯片技術(shù) 低功耗成亮點

            根據(jù)此前媒體的報道,采用SoC封裝的全新至強(qiáng)BroadwellDE系列系統(tǒng)芯片已經(jīng)被英特爾列入產(chǎn)品的路線圖。作為英特爾公司第一款采用系統(tǒng)級設(shè)計的服務(wù)器芯片,BroadwellDE高性能服務(wù)器芯片將以SoC形式整合在服務(wù)器主板上,而不是傳統(tǒng)的插槽式安裝。BroadwellDE芯片將于2014年下半年或2015年年初正式上市。

            通過整合至強(qiáng)處理器和兼容的FPGA到一個單獨的封裝里,其將與標(biāo)準(zhǔn)至強(qiáng)E5處理器實現(xiàn)插座(Socket)上的兼容。有了FPGA的可重編程能力,就能夠在工作負(fù)載和計算需求發(fā)生波動的時候幫助改變算法。根據(jù)行業(yè)的基準(zhǔn)測試,基于FPGA的加速器可以實現(xiàn)超過10倍的性能提升。

            對于諸如BroadwellDE這樣的系統(tǒng)級服務(wù)器芯片,雖然有助于消除潛在的系統(tǒng)在成本和功耗方面的瓶頸,但是插槽式服務(wù)器芯片能夠訪問更多的內(nèi)存和計算資源。BroadwellDE芯片可配備各種的IO控制器,并可根據(jù)實際需求針對存儲類應(yīng)用系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)類應(yīng)用系統(tǒng)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。與英特爾公司其他提供低功耗、基于Atom的服務(wù)器芯片相比,BroadwellDE芯片是一款運行速度更快的產(chǎn)品。BroadwellDE芯片將采用14納米工藝制造。

            BroadwellDE芯片的系統(tǒng)級設(shè)計將有助于減少一些總線接口并提升系統(tǒng)性能,但是在可靠性和功能方面的表現(xiàn)則略差,這就需要用戶在實際應(yīng)用中自行權(quán)衡利弊。

            通過縮小芯片的尺寸,英特爾和其它芯片公司競相推出更先進(jìn)的處理器。通過發(fā)布14納米制程處理器,由22納米制程的Haswell提升到14納米芯片,PC廠商將打造更輕更薄,更節(jié)電,而且無需風(fēng)扇的電腦。首款CoreM設(shè)備將在年底上市,大批新設(shè)備會在2015年上半年上市。

            在電腦和服務(wù)器領(lǐng)域,英特爾處理器占據(jù)了大部分市場份額,但基于ARM的芯片則在移動設(shè)備市場處于優(yōu)勢。為了更好與ARM競爭,英特爾不斷推出更節(jié)電的芯片。英特爾利用自己先進(jìn)的工藝和技術(shù),在低功耗移動市場爭取有所作為,打造無風(fēng)扇的輕薄筆記本、二合一設(shè)備、平板機(jī),甚至是微服務(wù)器,反擊ARM。



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