新型“高性能DFB半導(dǎo)體激光器”研發(fā)成功

　　近日，福建省科技廳組織專(zhuān)家組對(duì)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所蘇輝研究員主持的福建省科技重大專(zhuān)項(xiàng)專(zhuān)題“光通信的高性能半導(dǎo)體激光器和探測(cè)器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”進(jìn)行驗(yàn)收。

　　該項(xiàng)目研制出滿(mǎn)足光通信需求的高性能DFB半導(dǎo)體激光器和PIN-TIA探測(cè)器，突破了半導(dǎo)體激光器和探測(cè)器芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、加工以及鍍膜等關(guān)鍵技術(shù)，搭建了完整的半導(dǎo)體激光器與探測(cè)器芯片生產(chǎn)線(xiàn)及測(cè)試平臺(tái)，并形成了月產(chǎn)20萬(wàn)顆芯片的生產(chǎn)能力。

　　項(xiàng)目研制的高性能半導(dǎo)體激光器，在–40℃到85℃的工作范圍內(nèi)、無(wú)冷卻情況下，保持邊模抑制比大于35dB，閾值小于20mA，斜率效率大于0.35mW/mA，3dB的帶寬大于5GHz。研制的PIN-TIA探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)在–40℃到+85℃工作范圍內(nèi)，可探測(cè)的波長(zhǎng)范圍在1100~1600nm，保持暗電流約5nA;在兩個(gè)典型工作窗口1310nm和1550nm，保持響應(yīng)度大于0.9A/W，器件的3dB帶寬大于3GHz。

　　項(xiàng)目執(zhí)行期內(nèi)，共申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利2件，授權(quán)實(shí)用新型專(zhuān)利1件，發(fā)表論文4篇;并實(shí)現(xiàn)了批量銷(xiāo)售，獲得千萬(wàn)元以上的銷(xiāo)售訂單。

　　該項(xiàng)目從源頭上突破了“光芯片”制備的核心技術(shù)，生產(chǎn)的“光芯片”產(chǎn)品填補(bǔ)我國(guó)三網(wǎng)融合中核心器件產(chǎn)業(yè)空白，成功打破國(guó)外的技術(shù)和產(chǎn)品壟斷，改變了我國(guó)此類(lèi)產(chǎn)品依賴(lài)進(jìn)口的局面，解決了我國(guó)光纖入戶(hù)“最后一公里”技術(shù)瓶頸，已與國(guó)內(nèi)多家光通信下游企業(yè)形成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，推動(dòng)了我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。同時(shí)，創(chuàng)新“人才團(tuán)隊(duì)+項(xiàng)目+成果”成果轉(zhuǎn)化模式，組建了中科光芯光電科技有限公司，促進(jìn)科技與經(jīng)濟(jì)緊密結(jié)合，為科技成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力提供借鑒和參考。