中芯國(guó)際推38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米NAND閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn)NAND產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲(chǔ)器無晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量、低密度NAND閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求，使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　NAND閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域。客戶也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接口(SPI)NAND市場(chǎng)的發(fā)展以及不斷增長(zhǎng)的IoT相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用。此次中芯國(guó)際成功推出38納米NAND閃存技術(shù)，能夠幫助客戶滿足中國(guó)及全球市場(chǎng)對(duì)此技術(shù)的需求。

　　中芯國(guó)際技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國(guó)際已開發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊NOR閃存平臺(tái)。經(jīng)過研發(fā)團(tuán)隊(duì)專注及系統(tǒng)的努力，我們成功推出了38納米NAND閃存，在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展，也為后續(xù)開發(fā)更先進(jìn)的2x/1x納米及3DNAND閃存奠定了穩(wěn)固的基礎(chǔ)。我們將繼續(xù)努力推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的開發(fā)，以滿足無晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求。”

　　中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對(duì)中芯國(guó)際以及特殊存儲(chǔ)器客戶及合作伙伴，都具有重大的戰(zhàn)略性意義。對(duì)客戶來說，中芯國(guó)際顯示了其在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)開發(fā)方面的決心和能力。此外，還證明中芯國(guó)際有足夠的實(shí)力在精心選擇的細(xì)分市場(chǎng)確立領(lǐng)導(dǎo)地位。”

　　關(guān)于中芯國(guó)際

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國(guó)際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國(guó)際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠;在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠，一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠正在開發(fā)中;在天津建有一座200mm晶圓廠;在深圳正開發(fā)一個(gè)200mm晶圓廠項(xiàng)目。中芯國(guó)際還在美國(guó)、歐洲、日本和臺(tái)灣地區(qū)設(shè)立營(yíng)銷辦事處、提供客戶服務(wù)，同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。