三星完成20納米Mobile DRAM量產

　　三星電子(Samsung Electronics)在稍早正式量產20奈米Mobile DRAM，將有望幫助三星提高生產力以及成本競爭力。尤其在競爭對手們仍停留在20奈米中段制程的情況下，隨著三星在20奈米時代下畫上句點，分析認為，三星將有望可以在2015年前進10奈米時代，拉開與對手的技術差距。

　　韓媒edaily指出，三星繼稍早3月投產的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM，此次將20奈米制程擴大到Mobile DRAM。采用20奈米制程的產品可以提升30%以上的生產力，而電力消耗量也可以節(jié)省10%以上。

　　更多而三星透過此次研發(fā)20奈米DRAM，將可以大幅減少成本。尤其是從2014年開始，Mobile DRAM需求超越PC用DRAM，三星半導體業(yè)績有望大幅改善。根據(jù)朝鮮日報引用市調機構DRAMeXchange資料指出，2014年Moblie DRAM出貨量比重，將以36%首度超越PC用DRAM的30%。

　　現(xiàn)代證券研究員指出，三星此次研發(fā)出的20奈米Mobile DRAM，雖不會大幅改變市占率，但絕對可以改善三星業(yè)績。由于生產力的上升，以同樣價格銷售時，獲利也將大幅提高。

　　南韓業(yè)界則是一陣看好三星半導體事業(yè)，預期在2014年營利將可以來到8兆韓元(約77億美元)左右，而2015年則有望成長超過9兆韓元。如果能持續(xù)維持，三星半導體事業(yè)將有望重回2010年營利10兆韓元的光榮時期。

　　三星則是計劃透過20奈米產品，搶占大容量Mobile DRAM市場。三星記憶體事業(yè)部行銷團隊常務白志浩(音譯)自信滿滿的表示，此次推出的20奈米Mobile DRAM將能稱霸高性能Mobile DRAM市場，未來將會搭載在旗艦智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置等產品上。

　　三星從2006年開始研發(fā)50奈米級DRAM后，在2010年進展到30奈米級，2011年時則推進到20奈米級微細制程。edaily指出，三星在2014年正式量產20奈米產品后，極有可能率先進入10奈米級時代。

　　隨著三星研發(fā)出改良型的雙圖樣微影技術(Double Patterning)，透過既有設備做好量產10奈米級產品的準備。南韓半導體業(yè)界預估，三星將會在2015年研發(fā)出10奈米級產品，并在2016年開始投產。

　　以此，三星有望拉開與競爭對手的技術差距。SK海力士(SK Hynix)預計在下半年正式量產20奈米中段制程產品，恐怕要等到2015年才有望能成功研發(fā)20奈米產品。