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          探源蘋果內(nèi)存控制IC問題的真與假

          作者: 時間:2014-11-10 來源:互聯(lián)網(wǎng) 收藏
          編者按: 按照蘋果封閉式NAND控制IC策略,蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠提供,或由蘋果自行設(shè)計。由于此次可能因NAND控制IC出錯導致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰,蘋果可能會轉(zhuǎn)變NAND控制IC策略,改為外購,為臺灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉(zhuǎn)單可能。

            iPhone 6上市后,市場一直供不應求,尤其128GB的iPhone 6 Plus更是最缺貨的一款。11月4日一則來自iPhone 6 Plus 128GB的最新消息, 或許讓果粉「退而求其次」,改買64GB甚至更低容量機種,在「擠牙膏」的效應下,恐造成全系列iPhone 6的新機供應更加吃緊。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/265077.htm

            AppleInsider10月23日曾報導,支援社群(Support Communities)論壇最近有多名用戶重復抱怨iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰、或不斷重開機的問題,目前還不清楚故障的原因為何,有人已經(jīng)因此連換四支iPhone 6 Plus。

            根據(jù)韓國媒體的分析,這些問題主要發(fā)生在128GB版iPhone 6 Plus,可能跟三階儲存單元(Triple-Level Cell,簡稱TLC)NAND型快閃存儲器(NAND Flash)的有關(guān)。BusinessKorea 3日報導,TLC flash是一種固態(tài)的NAND Flash,每一個快閃媒介單元都能儲存3位元的資料,容量為單階儲存單元(Single-Level Cell,簡稱SLC)、多階儲存單元(Multi-Level Cell,簡稱MLC)的兩到三倍之多。另外,TLC flash的價格也較為便宜。不過,TLC讀取/寫入資料的速度卻不如SLC或MLC。

            坊間傳言,此次為了節(jié)省成本而在128GB iPhone 6 Plus與部份機種運用了TLC NAND Flash。在此之前,TLC NAND Flash都只用在部分iPad,而較為昂貴、但穩(wěn)定度高的MLC NAND Flash則應用于大多數(shù)的iPhone。

            部分業(yè)界人士認為,倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰的主因,那么也許會召回已經(jīng)出售的所有產(chǎn)品。 至截稿前,蘋果尚未回應相關(guān)報導,也尚未宣布任何iPhone召回計劃。

            那么NAND芯片到底是做什么用的呢?

            據(jù)集微網(wǎng)所知,這顆是擔任電子裝置與NAND快閃存儲器之間的溝通橋梁,負責中介、控制的角色,能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的順利存取。此外,它還能提升數(shù)據(jù)的存取速度、加強除錯能力,延長NAND芯片的壽命。NAND芯片控制IC并非昂貴的零組件,成本甚至僅iPhone新機價格的千分之一。但如若少了它,你想拍下美美的照片存起來,或想下載影片至手機里,都將成為空談,它的重要性可想而知。

            根據(jù)iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus采用的SK Hynix海力士的NAND Flash,按照蘋果封閉式NAND控制IC策略,蘋果NAND Flash控制IC可能由韓國SK Hynix海力士NAND芯片廠提供,或由蘋果自行設(shè)計。由于此次可能因NAND控制IC出錯導致128GB容量的iPhone 6 Plus系統(tǒng)崩潰,蘋果可能會轉(zhuǎn)變NAND控制IC策略,改為外購,為臺灣群聯(lián)等業(yè)者增添新一輪的轉(zhuǎn)單可能。

            目前為止,遇到問題的用戶發(fā)現(xiàn)了幾個共通點,即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影響的機種、用戶安裝的應用程式數(shù)量超過700款,且系統(tǒng)未與使用者互動便即崩潰。部份網(wǎng)友認為是硬件有瑕疵,因為蘋果最近發(fā)布的iOS 8.1系統(tǒng)更新并未解決這個問題,其他人則把一切麻煩怪到軟件頭上。

            這一問題對于iPhone來說屬于首次出現(xiàn),因為之iPhone使用的是MLC NAND 閃存,遇到這些問題的用戶只能將手機拿到Apple Store并更換新機。

            最新來自蘋果內(nèi)部的消息人士聲稱,召回計劃完全是虛假的。蘋果官方支持論壇上關(guān)于崩潰的帖子只有159個回復,其中很多來自同一個人。這些用戶通常安裝了500或1000個應用,消息稱蘋果已經(jīng)了解問題,推測該問題與閃存有關(guān)并不準確。

            據(jù)iFixit拆解報告顯示iPhone 6 Plus采用海力士H2JTDG8UD1BMS,集微網(wǎng)小編查到的規(guī)格表中并未明確指明其是TLC還是MLC,只歸類為E2NAND 3.0,而在TECHINSIGHTS所查,海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory,目前能夠確定的消息是iPhone 6 plus采用的NAND存儲器是MLC而不是TLC。

            

           

            

           

            無論此輪iPhone 6 Plus問題是否與閃存控制IC有關(guān),iPhone的每一個動態(tài)都將牽動無數(shù)果粉的心。



          關(guān)鍵詞: 蘋果 內(nèi)存 控制IC

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