你造嗎? 四大MOSFET實用技巧
MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術的進展,特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn),它的開關速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/265477.htm在EEPW論壇呆久了,看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情,有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉,今天有空給大家說幾個關于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。
為了把問題說的明白些,還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
MOSFET 依照其“通道”的極性不同,可分為n-channel與p-channel的MOSFET,通常又稱為NMOSFET 與PMOSFET.
一, 符號記憶技巧:“屁朝外”即可!
如圖1為電路符號。那么問題就來了,一般初學者,對這樣的符號總是混淆,總是記不住這兩種類型的符號,現(xiàn)在本官告訴一個記憶訣竅,讓你一輩子終身難忘!先看電路符號,
圖1:NMOSFET 與PMOSFET電路符號
怎么講,把MOS管電路符號近似看做一個人,定義D是腦袋,G是抬起的腳,S是立著的腳,2極管是幕布!諧音“P朝外”,記住"P→"朝外放就行了,N不用記了,PMOS→簡稱P→P都是朝外放的 (不要告訴俺你習慣朝里放P)
二,看MOS管封裝技巧
過去數(shù)年中硅技術的改進已經(jīng)將MOSFET的內(nèi)阻和功率半導體的發(fā)熱量降低到了相當?shù)偷乃?,以至封裝限制了器件性能的提高。隨著系統(tǒng)電流要求成指數(shù)性增加,市場上已經(jīng)出現(xiàn)了多種先進的功率封裝的MOSFET封裝。這些新的封裝MOS技術提供了更多的設計自由度,但太多的選擇也使得人們大感困惑,特別是讓那些電源的設計者無所適從。
所謂封裝就是給MOSFET芯片加一個外殼,這個外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
芯片的材料、工藝是MOSFET性能品質(zhì)的決定性因素,MOSFET廠商自然注重芯片內(nèi)核結(jié)構(gòu)、密度以及工藝的改進,以提高MOSFET的性能。這些技術改進將付出很高的成本。
做電源的一般常用的MOS管的封裝形式也就是下面的兩種形式。
1.TO封裝
TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規(guī)格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大,TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。 TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK,TO-263又稱之為D2PAK。
圖2 TO封裝
D-PAK封裝的MOSFET有3個電極,柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用,而是使用背面的散熱板作漏極(D),直接焊接在PCB上,一方面用于輸出大電流,一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處,漏極(D)焊盤較大。
圖3 D-PAK封裝
2、SOT和SOP封裝
SOT小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝,比TO封裝體積小,一般用于小功率MOSFET。常見的規(guī)格有:常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
圖4 SOT封裝
SOP的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格,業(yè)界往往把“P”省略,叫SO(Small Out-Line )。
圖5 SOP封裝
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