2014年度日本前三大半導(dǎo)體廠營(yíng)益率可望升至近7年高點(diǎn)

　　觀察日本前三大半導(dǎo)體廠2014會(huì)計(jì)年度(2014年4月至2015年3月，以下簡(jiǎn)稱年度)營(yíng)收預(yù)測(cè)，東芝(Toshiba)可望與2013年度持平在近1.2兆日?qǐng)A(約120億美元)水準(zhǔn)，瑞薩電子(RenesasElectronics)恐較2013年度衰退31.6%，為7,484億日?qǐng)A，Sony營(yíng)收則將自2013年度4,700億日?qǐng)A成長(zhǎng)至2014年度的5,700億日?qǐng)A。

　　DIGITIMESResearch觀察，盡管2014年度日本前三大半導(dǎo)體廠營(yíng)收并非全數(shù)較2013年度成長(zhǎng)，然此3家業(yè)者營(yíng)益率皆可望上揚(yáng)至2008年度以來相對(duì)高點(diǎn)，此固然與其主力產(chǎn)品NANDFlash、微控制器(MicroControllerUnit;MCU)及CMOS影像感測(cè)IC(CMOSImageSensor;CIS)需求增加有關(guān)，然2014年初以來日?qǐng)A平均匯率下滑至1美元兌100日?qǐng)A以上，亦有利日廠提升獲利能力。

　　在企業(yè)動(dòng)向方面，東芝原先預(yù)定于2014年夏天完工的日本四日市工廠第5棟Phase2量產(chǎn)垂直堆疊架構(gòu)BiCSNANDFlash，然正式量產(chǎn)時(shí)間將延后至2016年初，改為優(yōu)先采用15奈米制程生產(chǎn)NANDFlash，至2015年底為止，東芝將持續(xù)提升15奈米制程占NANDFlash生產(chǎn)比重。

　　2014年度瑞薩電子已著手將其日本設(shè)計(jì)研發(fā)據(jù)點(diǎn)自原先11處縮減至4處，為因應(yīng)人力需求減少，瑞薩電子計(jì)劃2014年12月實(shí)施今年以來第3次優(yōu)退制度，以持續(xù)加強(qiáng)控管成本，朝2016年度營(yíng)益率達(dá)10%以上目標(biāo)邁進(jìn)。

　　另外，Sony原先規(guī)劃其2014年度半導(dǎo)體事業(yè)資本支出將與2013年度持平在670億日?qǐng)A，然已上修至800億日?qǐng)A，其中500億日?qǐng)A用于擴(kuò)充CIS產(chǎn)能，可看出手機(jī)帶動(dòng)CIS需求增加。