2014年中國半導(dǎo)體十件大事

　　6.中芯深圳廠投產(chǎn)　芯片制造進(jìn)一步提速

　　中芯國際集成電路有限公司12月17日宣布其在深圳的8英寸晶圓廠正式投產(chǎn)。該廠今年年底前將達(dá)到每月1萬片的裝機(jī)產(chǎn)能，在2015年達(dá)到每月2萬片，全部產(chǎn)能規(guī)劃為每月4萬片。中芯國際深圳8英寸廠是中國華南地區(qū)第一條投入使用的8英寸生產(chǎn)線，如果該項(xiàng)目運(yùn)作成功意味著中芯國際在華南地區(qū)完成了設(shè)點(diǎn)，其在中國大陸的整體布局也將進(jìn)一步完善。同時，中芯國際成功制造28nm Qualcomm驍龍410處理器，明年上半年上海廠和北京廠都會進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　點(diǎn)評：這幾年中芯國際的步子邁得很穩(wěn)，在先進(jìn)工藝取得進(jìn)展的同時，又在華南落子布局。通過這些布局，中芯國際一步步追趕與國際先進(jìn)水平間的距離。

　　7.投資13.5億美元　聯(lián)電參股廈門晶圓廠

　　聯(lián)電董事會10月通過與廈門市政府及福建省電子信息集團(tuán)簽訂參股協(xié)議書，聯(lián)電集團(tuán)將通過參股方式，從2015年起的5年內(nèi)投資約13.5億美元，參股新建于廈門的半導(dǎo)體12英寸晶圓廠。聯(lián)電表示，此次參股的12英寸晶圓廠，最快將于2016年量產(chǎn)，初期以55納米及40納米制程切入，主要從事晶圓代工，鎖定通信、信用卡、銀聯(lián)卡等芯片應(yīng)用，規(guī)劃最大月產(chǎn)能為5萬片。

　　點(diǎn)評：隨著中國大陸集成電路制造業(yè)的崛起，我國臺灣代工廠“西進(jìn)”的步伐將加快，只有如此才能在快速增長的中國大陸龐大市場商機(jī)中分得一杯羹。

　　8.華為、展訊新品頻發(fā)　移動通信成IC突破口

　　2014年中國移動通信芯片廠商新品頻發(fā)，不斷拉近與國際先進(jìn)水平距離。華為海思最新發(fā)布的麒麟620智能手機(jī)芯片，采用全新ARMv8-A指令集，基于28nm工藝制造。展訊也在4G芯片領(lǐng)域不斷發(fā)力，不僅推出了3模LTE調(diào)制解調(diào)器SC9620，支持 3GPP R9協(xié)議Category 4級別，而且支持5模制式的SC9830也有望于年底上市。聯(lián)芯科技也推出了4G LTE芯片LC1860，采用28nm工藝，完整覆蓋TD-LTE、LTE FDD、TD-SCDMA、WCDMA和GGE等5種模式和13個頻段。

　　點(diǎn)評：中國不僅是全球最大的手機(jī)制造基地，也是最主要的智能手機(jī)市場，它的成長，有力地支撐了中國本土移動通信芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，有望成為中國IC設(shè)計(jì)行業(yè)起飛的突破口。

　　9.北斗導(dǎo)航突破應(yīng)用瓶頸　首顆40納米Soc誕生

　　上海北伽導(dǎo)航科技有限公司發(fā)布北斗導(dǎo)航芯片“航芯一號”，采用40nm SoC工藝，是北斗多模射頻基帶一體化的芯片，將于明年量產(chǎn)，進(jìn)入中興等品牌手機(jī)，并將逐步進(jìn)入平板電腦、可穿戴設(shè)備、車載導(dǎo)航等設(shè)備，使百姓能用到更多的北斗導(dǎo)航產(chǎn)品。

　　點(diǎn)評：這標(biāo)志著我國北斗導(dǎo)航產(chǎn)業(yè)大規(guī)模應(yīng)用瓶頸得到突破。北斗導(dǎo)航芯片國產(chǎn)化提速，對促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動北斗消費(fèi)意義重大。

　　10.首批國產(chǎn)8英寸IGBT　達(dá)國際先進(jìn)水平

　　繼國內(nèi)首條8英寸IGBT專業(yè)芯片線在南車株洲投產(chǎn)后，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊，在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行1萬公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平，顯示IGBT芯片達(dá)國際先進(jìn)水平。2008年，南車時代電氣成功并購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司。2012年，株洲所投資15億元，在株洲建設(shè)起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線，并于今年6月正式投產(chǎn)。今年10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗(yàn)，并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車輛上。

　　點(diǎn)評：作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略中不可或缺。但是，國內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚，發(fā)展艱難而緩慢。上述成績的取得標(biāo)志著我國功率半導(dǎo)體業(yè)取得了良好的開端。