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          華潤上華“跑道形NLDMOS 晶體管及其制作方法”專利技術(shù)填補國內(nèi)空白

          作者: 時間:2015-01-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)自主研發(fā)的“跑道形及其制作方法”專利技術(shù),近日榮獲2014年第七屆無錫市專利金獎。該項專利填補了國內(nèi)空白,開創(chuàng)了國內(nèi)首個可應(yīng)用于單片智能開關(guān)電源集成電路工藝技術(shù),達(dá)到國際領(lǐng)先水平。目前,該項專利已應(yīng)用于華潤上華晶圓生產(chǎn)線,累計產(chǎn)出已達(dá)24萬片,大幅提升了企業(yè)營收能力,兩年內(nèi)為華潤上華新增直接銷售額3.8億元,新增利潤4500萬元。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/268341.htm

            該項專利提供一種提高跑道形及其制作方法,采用圓環(huán)形結(jié)構(gòu)在N型漂移區(qū)形成P型同心環(huán),通過調(diào)整P型同心環(huán)的半徑控制P型雜質(zhì)總量,從而與N型雜質(zhì)達(dá)到電荷平衡,提高跑道形器件結(jié)構(gòu)彎道部分耐壓的方式。傳統(tǒng)方式是在彎道部分形成簡單的PN結(jié),PN結(jié)的反向耐壓即為器件彎道部分的耐壓,這種方式雖然簡單,但卻使彎道部分不存在溝道,從而浪費了芯片面積。采用該技術(shù)不僅可在跑道形器件結(jié)構(gòu)的彎道部分提高耐壓,而且可以在彎道部分保留溝道,使器件電流變大,達(dá)到有效利用芯片面積,增大電流,降低導(dǎo)通電阻的目的。

            圍繞上述主專利,華潤上華還分別在國內(nèi)外申請了41項周邊專利,構(gòu)成專利組合,對華潤上華所經(jīng)營的特定領(lǐng)域進(jìn)行系統(tǒng)控制和保護,使華潤上華獲得持續(xù)的競爭優(yōu)勢。目前,華潤上華在國內(nèi)單芯片LED照明驅(qū)動電源市場中的市場占有率達(dá)到100%,有國內(nèi)外知名客戶21家,部分產(chǎn)品已成功被大眾、奧迪等汽車廠商使用。

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