DDR4能否引領(lǐng)新一輪存儲變革？
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臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標性產(chǎn)業(yè)，但近幾年DRAM的供需市場產(chǎn)生很大的變化。動態(tài)隨機存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的內(nèi)存組件。固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標準，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發(fā)表，已有5年之久。對于產(chǎn)品日新月異，瞬息萬變的科技業(yè)而言，5年是非常久的時間。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/269436.htm
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標準DDR4模塊展示(圖片來源：www.techradar.com)
文/徐文芝
臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標性產(chǎn)業(yè)，但近幾年DRAM的供需市場產(chǎn)生很大的變化。
2013年美光(Micron Technology Group)并購日本內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)后，全球DRAM生產(chǎn)幾乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，僥幸存活的少數(shù)廠商只能轉(zhuǎn)而幫其他大廠代工，或是改為生產(chǎn)具有市場利基的產(chǎn)品。如今行動裝置與物聯(lián)網(wǎng)重新帶動DRAM市場需求，朝向更小、更省電的方向邁進，若能掌握這股新趨勢，未來臺灣廠商在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還是大有可為。
動態(tài)隨機存取內(nèi)存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的內(nèi)存組件。在處理器相關(guān)運作中，DRAM經(jīng)常被用來當作數(shù)據(jù)與程序的主要暫存空間。相對于硬盤或是閃存(Flash Memory)，DRAM具有訪問速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點，因此廣泛的使用在各式各樣現(xiàn)代的科技產(chǎn)品中，例如計算機、手機、游戲機、影音播放器等等。
自1970年英特爾(Intel)發(fā)表最早的商用DRAM芯片-Intel 1103開始，隨著半導體技術(shù)的進步與科技產(chǎn)品的演進，DRAM標準也從異步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、進展到上下緣皆可觸發(fā)的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。
每一代新的標準，目的不外乎是針對前一代做以下的改進：單位面積可容納更多的內(nèi)存、數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣雀?、以及更少的耗電量。更小、更快、更省電，是半導體產(chǎn)業(yè)永不停息的追求目標，當然DRAM也不例外。
固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM標準，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的發(fā)表，已有5年之久。
對于產(chǎn)品日新月異，瞬息萬變的科技業(yè)而言，5年是非常久的時間。2007年6月第一代iPhone問世，同年DRAM產(chǎn)業(yè)宣布DDR3時代來臨;到了2012年，iPhone都已經(jīng)推進到iPhone5了，DRAM才正式進入DDR4，相比之下DRAM的進步不得不說相當緩慢。
隨著行動裝置的盛行，個人計算機市場逐漸式微，加上缺乏可以刺激消費者積極更新設(shè)備的應用程序，這些因素都降低了大眾對新一代DRAM標準的渴望。
即使新標準看起來有更多優(yōu)點，但無法激起消費者的購買欲望，就沒有市場，新一代DRAM的需求若不顯著，DRAM廠對于投入資金研發(fā)新技術(shù)的意愿就顯得意興闌珊，新標準的制定也就不那么急迫了。
DDR4 PK DDR3
即使緩步前進，DDR4終究還是來到大家的面前。新的標準必定帶來新的氣象，讓我們來看看DDR4與DDR3有什么不同之處：
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圖二：DDR4標準與DDR3標準簡單對照表(數(shù)據(jù)源：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-to-ddr4)
儲存容量：單一的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間，而每個DDR4模塊(module)最多可搭載8個DDR4芯片，比DDR3多一倍。也就是說，DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置，DDR4可容納更大的內(nèi)存容量;換個角度來說，在容量需求不變的情況下，DDR4所需的空間比DDR3要小。
傳輸速度：DDR3的傳輸速度從800MHz(MHz=每秒百萬次)到2188MHz不等;而DDR4的傳輸速度從2188MHz起跳，目前的規(guī)格定義到3200MHz，將來可望達到4266MHz。
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