DDR4能否引領(lǐng)新一輪存儲變革？

　　耗電量：省電是DDR4最明顯的改進(jìn)之處。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V(伏特，電壓單位)而DDR4降至1.2V，專門為行動裝置設(shè)計的低功耗DDR4(LPDDR4)更降至1.1V。除了降低工作電壓，DDR4支持深度省電模式(Deep Power Down Mode)，在暫時不需要用到內(nèi)存的時候可進(jìn)入休眠狀態(tài)，無須更新內(nèi)存(Refresh)，可進(jìn)一步減少待機(jī)時功率的消耗。

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　　圖三：DDR4 vs. DDR3的標(biāo)準(zhǔn)化能量消耗(圖表來源：http://www.extremetech.com)

　　除了上述的三個主要部份外，DDR4還支持命令/地址總線上的同位核對(parity check)，以及在數(shù)據(jù)寫入時，數(shù)據(jù)總線上支持循環(huán)冗余檢驗(CRC)等功能，以自動偵錯的方式來避免因訊號干擾而導(dǎo)致不正確的命令或數(shù)據(jù)被寫入內(nèi)存，增加高速傳輸時數(shù)據(jù)的完整性。

　　DDR4應(yīng)用限制

　　世上沒有白吃的午餐。雖說DDR4具有上述的優(yōu)點，但在應(yīng)用上卻有額外的負(fù)擔(dān)。

　　首先，跟DDR3相比，DDR4讀寫指令需要更長的啟動時間周期(Read Latency或Write Latency，也就是讀寫指令下達(dá)后，需花費多少時間周期，數(shù)據(jù)才會出現(xiàn)在接口上)。因此在相同頻率下，DDR4的讀寫效率會比DDR3低。這其實是可以理解的。隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的提升，內(nèi)存對外的接口邏輯電路的速度也越變越快，但內(nèi)存內(nèi)部的反應(yīng)速度卻沒有增加，因此對外部的控制電路而言，DDR4的讀寫指令需要更長的時間周期才能被啟動。換句話說，DDR4的輸入頻率頻率或許可以比DDR3快上一倍，但內(nèi)存的反應(yīng)速度并沒有增快一倍，因此只好定義更多的讀寫起始周期來因應(yīng)。若因為系統(tǒng)的限制，使得DRAM的輸入頻率無法達(dá)到太高的頻率時，DDR3的讀寫效率會比DDR4來得好。其實從DDR2進(jìn)展到DDR3時也有類似的問題發(fā)生。新一代的內(nèi)存在剛推出的時候，價格不但偏高，同頻操作下的效率又比舊型內(nèi)存差，總要過一段時間，市場對高速內(nèi)存的需求升高，再加上產(chǎn)能提升帶動單位內(nèi)存價格的下降，才會真正達(dá)到世代交替。

　　其次，DDR3有8個獨立內(nèi)存組(bank)，每個bank可獨立接收讀寫指令?？刂?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/DRAM">DRAM的邏輯電路若妥善安排內(nèi)存地址，可以減少相鄰讀寫指令間等待的時間，降低數(shù)據(jù)總線額外閑置的機(jī)率，提高傳輸?shù)男?。DDR4雖然增加內(nèi)存組數(shù)為16，但卻加入內(nèi)存群組(bank group)的限制。不同bank但若屬于同一個bank group，連續(xù)讀寫指令間必須增加等待時間周期，造成數(shù)據(jù)總線的閑置機(jī)率升高，傳輸效能降低。在此種限制下，如何充分利用數(shù)據(jù)總線以達(dá)成最高效率，對于控制DDR4的邏輯電路設(shè)計是新的挑戰(zhàn)。

　　目前各DRAM大廠已陸續(xù)推出DDR4的內(nèi)存模塊，英特爾最新個人計算機(jī)旗艦平臺—Haswell-E搭配X99芯片組全面支持DDR4，價格上比相似規(guī)格的DDR3貴上20~50%，實際使用起來卻感受不到太大的差別。其實內(nèi)存的執(zhí)行速度雖然重要，多數(shù)情況下并不是系統(tǒng)效能的瓶頸所在。因此，價格如果不能大幅降低，對桌面計算機(jī)的消費者而言，改用DDR4的誘因不大。

　　圖四：2014Q1~Q2全球品牌DRAM營收排行表數(shù)據(jù)源：DRAMeXchange,Aug,2014

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　　圖五：品牌DRAM各國市占率數(shù)據(jù)源：DRAMeXchange,Aug,2014

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　　行動DRAM興起帶動市場需求

　　近幾年DRAM的供需市場產(chǎn)生很大的變化。 2013年美光(Micron Technology Group)并購日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)后，全球DRAM生產(chǎn)幾乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，小廠只能挑選大廠已經(jīng)淘汰的小眾市場勉強(qiáng)維持(詳見圖四)。而低功耗的行動DRAM(mobile DRAM)逐漸取代標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，成為DRAM產(chǎn)業(yè)最重要的市場。根據(jù)DRAMeXchange所做的統(tǒng)計，蘋果公司(Apple Inc)已是全球DRAM最大采買商，預(yù)計2015蘋果的產(chǎn)品將占用全球25%的DRAM產(chǎn)能。

　　DRAMeXchangee更進(jìn)一步預(yù)測，2014年行動DRAM占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年有機(jī)會突破40%大關(guān)。由此趨勢看來，未來幾年，行動內(nèi)存大有機(jī)會取代標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，成為最大的DRAM產(chǎn)出。目前高階智能型手機(jī)或平板計算機(jī)上的DRAM配備容量大約是1GB~2GB，對省電方面的要求更加嚴(yán)格。今(2015)年多家手機(jī)大廠新推出的旗艦型智慧手機(jī)計劃將搭載低功耗的行動DDR4(LPDDR4)，加上蘋果新一代iPhone與iPad將提高內(nèi)建DRAM容量，預(yù)期LPDDR4將比標(biāo)準(zhǔn)DDR4更快普及?？礈?zhǔn)行動DRAM的商機(jī)，DRAM三大廠紛紛宣布設(shè)置新設(shè)備來增加行動DRAM的產(chǎn)量。在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，雖然個人計算機(jī)市場需求下滑，但近年來云端運算與云端數(shù)據(jù)儲存應(yīng)用的崛起，帶動服務(wù)器設(shè)備需求逐年攀升，服務(wù)器DRAM也跟著穩(wěn)定成長，成為標(biāo)準(zhǔn)型DDR4切入市場的契機(jī)。

　　以DRAM的基本結(jié)構(gòu)(一個電容和一個晶體管組合成一個記憶單元)來看，未來在速度與耗電量的改進(jìn)空間不大，產(chǎn)學(xué)界早已積極開發(fā)類似的內(nèi)存架構(gòu)，例如Z-RAM、TTRAM等，DDR4會不會是末代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，誰也無法預(yù)測。

　　臺灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺灣科技界指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)，但經(jīng)過10多年的巨額投資，終究還是敵不過韓國與美國大廠，在下一個DRAM周期的春天來臨前就黯然退出主要競賽行列。僥幸存活的少數(shù)廠商只能轉(zhuǎn)而幫其他大廠代工，或是改為生產(chǎn)不被大廠青睞、市場規(guī)模較小的產(chǎn)品。如今內(nèi)存整體市場已經(jīng)跟10年前大不相同。行動裝置與物聯(lián)網(wǎng)所帶動的市場需求，明顯地朝向更小、更省電的方向，而非一昧著重在速度跟效率上。若能好好掌握這股新的趨勢，未來臺灣廠商在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還是大有可為。