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          SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)

          —— ROHM(羅姆)眼中——
          作者:王瑩 時(shí)間:2015-02-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:  摘要:探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。   近期,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上,ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上,對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析,并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。   各種功率器件的比較   功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源,包括四大類:逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣

            摘要:探討了的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/269814.htm

            近期,全球知名半導(dǎo)體制造商在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“功率元器件技術(shù)動(dòng)向和功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上,在對(duì)比各種的基礎(chǔ)上,對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析,并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。

            各種的比較

            功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源,包括四大類:逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣轉(zhuǎn)換器(如圖1)。

            中最主要的指標(biāo)之一是損耗,包括導(dǎo)通損耗(Econd)和開關(guān)損耗(Eon+Eoff)。理想地,人們希望損耗為零,但是不可能百分之百?zèng)]有。

            硅(Si)產(chǎn)品歷經(jīng)三十年左右的發(fā)展,出現(xiàn)了一個(gè)技術(shù)瓶頸,就是高溫、高壓、高頻時(shí)損耗較大,需要尋找更好的器件來替代。2003年,美國(guó)Cree公司率先推出SiC產(chǎn)品,但當(dāng)時(shí)市場(chǎng)上并沒有很大的反響。2010年以后,業(yè)界開始對(duì)SiC產(chǎn)品真正關(guān)心,一些廠家推出了相關(guān)產(chǎn)品。

            Si產(chǎn)品和SiC的區(qū)別如圖2所示??梢?,在高頻時(shí),Si-MOSFET和SiC-MOSFET性能較好,主要源于MOSFET構(gòu)造上的優(yōu)勢(shì)。而中間的B代表Bipolar(雙極),T是Transistor(三極管),即雙極性三極管,可見是三極管結(jié)構(gòu),因此Si-的高頻特性會(huì)差些。

            從圖2還可看出,SiC可以做到更高壓。

            總之,SiC產(chǎn)品可以做到更高頻和更高壓。

            圖2中還有新材料——氮化鎵(GaN)。GaN最大優(yōu)勢(shì)是高頻特性,比Si、SiC更好;但是GaN同樣也有一個(gè)短板,就是做不了太高壓。

            圖3所示為各種功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域。功率器件用得最多的地方是開關(guān)電源,開關(guān)電壓較高的是600V,1200V已經(jīng)是極限了。接下來的一個(gè)重要市場(chǎng)是車載,例如新能源汽車(EV/HEV)。此外,還有各種工業(yè)設(shè)備。

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