一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路

　　2.3.1 用N溝道MOSFET設(shè)計(jì)的軟啟動(dòng)電路

　　利用N溝道MOSFET設(shè)計(jì)的軟啟電路，電路圖見圖3。

　　工作原理：當(dāng)輸入上電時(shí)，由于C1的電壓不能突變，輸入電壓通過R1對C1進(jìn)行充電，充電時(shí)間由R1與C1共同決定，最終C1電壓達(dá)到R2上的分壓。C1上的電壓也即是Q1的柵極源極之間(N溝道MOSFET的導(dǎo)通條件為柵極電壓高于源極電壓)的電壓，電壓是從零開始，Q1的工作狀態(tài)也即是從截止區(qū)^[4]到恒阻區(qū)^[4]，再從恒阻區(qū)到飽和區(qū)^[4]，在恒阻區(qū)時(shí)能起到很好的軟啟動(dòng)作用，最終的飽和區(qū)導(dǎo)通電阻很小，其耗散功率可以忽略。利用N溝道MOSFET做軟啟動(dòng)比較常見，N溝道MOSFET的價(jià)格較便宜，此電路的輸入與輸出的參考地不同(相差很小)，實(shí)際應(yīng)用中需要注意。

　　2.3.2 用P溝道MOSFET設(shè)計(jì)的軟啟動(dòng)電路

　　利用P溝道MOSFET設(shè)計(jì)的軟啟電路，電路圖見圖4。

　　工作原理：當(dāng)輸入上電時(shí)，由于C1的電壓不能突變，輸入電壓通過R2對C1進(jìn)行充電，充電時(shí)間由R2與C1共同決定，最終C1電壓達(dá)到R1上的分壓。C1上的電壓也即是Q1的柵極源極之間(P溝道MOSFET的導(dǎo)通條件為柵極電壓低于源極電壓)的電壓，電壓是從零開始，Q1的工作狀態(tài)也即是從截止區(qū)^[4]到恒阻區(qū)^[4]，再從恒阻區(qū)到飽和區(qū)^[4]，在恒阻區(qū)時(shí)能起到很好的軟啟動(dòng)作用，最終的飽和區(qū)的導(dǎo)通電阻很小，其耗散功率可以忽略。利用P溝道MOSFET設(shè)計(jì)的軟啟動(dòng)電路，輸入輸出的參考地相同，相同性能的P溝道MOSFET相對N溝道的MOSFET的價(jià)格稍高。

　　3 防反接電路的作用

　　由于直流電輸入是有極性的，如果用戶將電源極性接反時(shí)，可能會(huì)損壞設(shè)備。故在多數(shù)的直流輸入設(shè)備中，均會(huì)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路。

　　4 防反接電路

　　常見防反接電路有以下幾種：

　　4.1 二極管防反接保護(hù)

　　二極管防反接電路有以下兩種：

　　4.1.1 單二極管防反接保護(hù)電路

　　此方式的防反接電路應(yīng)用較廣泛，利用二極管單向?qū)ǖ奶匦詠矸婪唇印Ｖ饕窃诟唠妷?、低電流的電路中，電路圖見圖5。

　　此處使用的二極管D1可以是普通的二極管，但結(jié)電壓一般在0.7伏^[4]左右。如果對效率較敏感，可以使用肖特基二極管，其結(jié)電壓一般在0.3伏^[4]左右，但是價(jià)格稍高。此電路的優(yōu)點(diǎn)是電路極其簡單、可靠性高，缺點(diǎn)是耗散功率較大。