一種軟啟動與防反接保護(hù)電路
此電路中利用二極管構(gòu)成二極管橋堆,輸入電壓極性無論如何變化,輸出電壓的極性保持不變,即便是輸入電壓極性接反,設(shè)備也能正常工作。從工作原理看,相當(dāng)于電源輸入的兩個極性上均接有防反接二極管,故其比單個二極管防反接電路的效率低,成本稍高。需要注意輸入輸出的參考地不相同。
利用MOSFET設(shè)計(jì)防反接保護(hù),也分為P溝道與N溝道兩種,下面分別介紹:
利用N溝道MOSFET設(shè)計(jì)的防反接保護(hù)電路,電路圖見圖7。
當(dāng)輸入電壓正常接入時,電流從輸入正極流入,流經(jīng)電阻R1、R2,經(jīng)過Q1的體二極管流回輸入端。Q1柵極源極之間電壓即為電阻R2上的分壓,選擇適當(dāng)?shù)腞1、R2值,滿足Q1飽和導(dǎo)通。當(dāng)輸入電壓極性接反時,Q1的體二極管反向截止,由于沒有電流回路,柵極源極之間電壓無偏置電壓,Q1不能導(dǎo)通,輸出端無電壓輸出,設(shè)備不工作。需要注意兩點(diǎn):Q1的體二極管參與電阻R1、R2的分壓;輸入輸出的參考地不相同。
4.2.2 P溝道MOSFET防反接電路
利用P溝道MOSFET設(shè)計(jì)的防反接保護(hù)電路,電路圖見圖8。
當(dāng)輸入電壓正常接入時,電流從輸入正極流入,流經(jīng)Q1體二極管,經(jīng)過R1、R2流回輸入端。Q1上柵極源極之間電壓即為R1的分壓,選擇適當(dāng)?shù)腞1、R2值,Q1最終工作在飽和狀態(tài)。當(dāng)輸入極性接反時,由于Q1的體二極管截止,無電流回路,柵極源極之間電壓無電壓偏置,Q1不能導(dǎo)通。需要注意,Q1的體二極管參與電阻R1、R2的分壓。
5 一種軟啟動與防反接電路
實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常需要同時使用軟啟動與防反接保護(hù),可以考慮將兩種保護(hù)電路整合在一起,下面給出一種整合方式供大家參考,分為N溝道MOSFET與P溝道MOSFET兩種。
5.1 N溝道MOSFET整合
N溝道MOSFET整合后的軟啟動與防反接保護(hù)電路,電路圖見圖9。
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