半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)

　　2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。

　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理速度獲得改善。

　　目前AP業(yè)者中，只有高通(Qualcomm)與三星電子(Samsung Electronics)具備64位元技術(shù)，三星電子在2014年10月推出改善發(fā)熱問(wèn)題的Exynos 7420，采用64位元8核心與14奈米FinFET制程技術(shù)，支援LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存頻寬也成長(zhǎng)為2倍，市占率可望穩(wěn)定提升。

　　AP功能強(qiáng)化，促使行動(dòng)DRAM從LPDDR3加速走向LPDDR4。因?yàn)榇钶d64位元AP的智慧型手機(jī)，為了提高DRAM密度必須轉(zhuǎn)換成低功耗介面，LPDDR4與LPDDR3相比可省電40%以上，在同一電量水準(zhǔn)下，系統(tǒng)性能表現(xiàn)更好。此外，也能搭載因畫素太高，而無(wú)法應(yīng)用于LPDDR3的超高畫質(zhì)(UHD)顯示器。

　　至于在NAND Flash方面，記憶體規(guī)格也正從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS，eMMC規(guī)格的晶片每秒傳輸速度可達(dá)400MB，但UFS最快可達(dá)1.2GB，相當(dāng)eMMC的3倍。三星電子2015年上市的旗艦智慧型手機(jī)將搭載UFS，以鞏固高規(guī)格產(chǎn)品的全球領(lǐng)先品牌形象。

　　2015年TLC采用率也有所提升。三星電子NAND Flash產(chǎn)品中，TLC占比上看70%。SK海力士(SK Hynix)也計(jì)劃在上半年量產(chǎn)TLC架構(gòu)的產(chǎn)品。

　　南韓資訊通信技術(shù)振興中心相關(guān)人士也提醒，業(yè)者們應(yīng)革新材料開(kāi)發(fā)與微細(xì)制程等技術(shù)，研發(fā)超高速、大容量與低功耗產(chǎn)品，因應(yīng)系統(tǒng)性能的多元化、復(fù)雜化與高速化，也應(yīng)加強(qiáng)元件、設(shè)備、材料與精密測(cè)量等半導(dǎo)體領(lǐng)域一體適用的共同基礎(chǔ)技術(shù)，透過(guò)開(kāi)發(fā)先進(jìn)產(chǎn)品持續(xù)領(lǐng)先市場(chǎng)。

　　360°：NAND Flash應(yīng)用控制晶片供應(yīng)商

　　2014年NAND Flash市場(chǎng)應(yīng)用成長(zhǎng)動(dòng)能仍集中在固態(tài)硬碟(SSD)和內(nèi)嵌式記憶體eMMC上，USB 3.0產(chǎn)品也是其中之一，因?yàn)閮r(jià)格幾乎逼近USB 2.0規(guī)格，因此產(chǎn)品將自然進(jìn)行世代交替。

　　SSD供應(yīng)商包括NAND Flash大廠，如三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)和記憶體模組廠，控制晶片如邁威爾(Marvell)、LSI(已被Avago購(gòu)并)、群聯(lián)、慧榮、億正儲(chǔ)存等。

　　智慧型手機(jī)和平板電腦用的內(nèi)嵌式記憶體eMMC供應(yīng)商包括NAND Flash大廠、群聯(lián)、慧榮，還有海力士買下銀燦的eMMC團(tuán)隊(duì)要自制控制晶片，以及東芝入股由金士頓和群聯(lián)合資專門做eMMC的金士頓電子KSI。另外，USB 3.0控制晶片供應(yīng)商包括群聯(lián)、慧榮、銀燦等。