半導體市場今年迎向高規(guī)格之爭

　　2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產(chǎn)業(yè)成長新動能。

　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理速度獲得改善。

　　目前AP業(yè)者中，只有高通(Qualcomm)與三星電子(Samsung Electronics)具備64位元技術，三星電子在2014年10月推出改善發(fā)熱問題的Exynos 7420，采用64位元8核心與14奈米FinFET制程技術，支援LPDDR4標準，內(nèi)存頻寬也成長為2倍，市占率可望穩(wěn)定提升。

　　AP功能強化，促使行動DRAM從LPDDR3加速走向LPDDR4。因為搭載64位元AP的智慧型手機，為了提高DRAM密度必須轉(zhuǎn)換成低功耗介面，LPDDR4與LPDDR3相比可省電40%以上，在同一電量水準下，系統(tǒng)性能表現(xiàn)更好。此外，也能搭載因畫素太高，而無法應用于LPDDR3的超高畫質(zhì)(UHD)顯示器。

　　至于在NAND Flash方面，記憶體規(guī)格也正從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS，eMMC規(guī)格的晶片每秒傳輸速度可達400MB，但UFS最快可達1.2GB，相當eMMC的3倍。三星電子2015年上市的旗艦智慧型手機將搭載UFS，以鞏固高規(guī)格產(chǎn)品的全球領先品牌形象。

　　2015年TLC采用率也有所提升。三星電子NAND Flash產(chǎn)品中，TLC占比上看70%。SK海力士(SK Hynix)也計劃在上半年量產(chǎn)TLC架構的產(chǎn)品。

　　南韓資訊通信技術振興中心相關人士也提醒，業(yè)者們應革新材料開發(fā)與微細制程等技術，研發(fā)超高速、大容量與低功耗產(chǎn)品，因應系統(tǒng)性能的多元化、復雜化與高速化，也應加強元件、設備、材料與精密測量等半導體領域一體適用的共同基礎技術，透過開發(fā)先進產(chǎn)品持續(xù)領先市場。

　　360°：NAND Flash應用控制晶片供應商

　　2014年NAND Flash市場應用成長動能仍集中在固態(tài)硬碟(SSD)和內(nèi)嵌式記憶體eMMC上，USB 3.0產(chǎn)品也是其中之一，因為價格幾乎逼近USB 2.0規(guī)格，因此產(chǎn)品將自然進行世代交替。

　　SSD供應商包括NAND Flash大廠，如三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)和記憶體模組廠，控制晶片如邁威爾(Marvell)、LSI(已被Avago購并)、群聯(lián)、慧榮、億正儲存等。

　　智慧型手機和平板電腦用的內(nèi)嵌式記憶體eMMC供應商包括NAND Flash大廠、群聯(lián)、慧榮，還有海力士買下銀燦的eMMC團隊要自制控制晶片，以及東芝入股由金士頓和群聯(lián)合資專門做eMMC的金士頓電子KSI。另外，USB 3.0控制晶片供應商包括群聯(lián)、慧榮、銀燦等。