臺(tái)積電預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)10nm 追上英特爾

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)透露該公司將在2017年開始量產(chǎn)10納米制程，屆時(shí)將能與英特爾(Intel)并駕齊驅(qū);“我們的10納米制程性能表現(xiàn)，包括速度、功率與密度，將會(huì)與我們認(rèn)為英特爾為其10納米技術(shù)所定義的規(guī)格相當(dāng);”臺(tái)積電企業(yè)通訊部門總監(jiān)Elizabeth Sun表示：“憑藉技術(shù)實(shí)力，我們認(rèn)為能在10納米節(jié)點(diǎn)拉近差距。”

　　而臺(tái)積電首度 表示，今年預(yù)期將會(huì)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界最大規(guī)模的資本支出，其目標(biāo)是鞏固其晶圓代工市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，以對(duì)抗英特爾、三星(Samsung)與Global Foundries等競(jìng)爭(zhēng)者。臺(tái)積電將 2015年資本支出預(yù)算提高至115億美元至120億美元，較 2014年成長(zhǎng)11.5~20%，主要原因是對(duì)市場(chǎng)的先進(jìn)制程需求深具信心。英特爾的 2014年度資本支出為101億美元，今年則預(yù)期維持在100億美元左右，增減5億美元。

　　臺(tái)積電的Sun表示，隨著摩爾定律 (Moore‘s Law)逐漸“失能”，產(chǎn)業(yè)界也剩下越來(lái)越少?gòu)S商能負(fù)擔(dān)先進(jìn)制程所需的龐大投資：“當(dāng)你繼續(xù)微縮晶片，成本就不斷上升，越來(lái)越少人能夠真正負(fù)擔(dān)得起。”她 透露，臺(tái)積電將在該公司的中科廠(編按：12寸晶圓Fab 15)進(jìn)行10納米量產(chǎn)，該廠隨后也將量產(chǎn)更先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)。

　　臺(tái)積電將于中科晶圓廠(Fab 15)量產(chǎn)10納米制程

　　根業(yè)界消息，臺(tái)積電的中科晶圓廠在 2018年底將達(dá)到9萬(wàn)片晶圓月產(chǎn)能，采用10納米節(jié)點(diǎn)或更先進(jìn)制程技術(shù);該公司在本月稍早也表示將投資5，000億臺(tái)幣(159億美元)擴(kuò)展中科廠產(chǎn) 能。在1月份的財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上，臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音表示，臺(tái)積電2015年?duì)I收成長(zhǎng)率可望比產(chǎn)業(yè)估計(jì)12%的平均成長(zhǎng)率高出“數(shù)個(gè)百分點(diǎn)”。

　　臺(tái)積電 2015年第一季營(yíng)收預(yù)期在新臺(tái)幣2，210億~2，240億臺(tái)幣之間，較2014年同期成長(zhǎng)約50%。臺(tái)積電中科晶圓廠2014年產(chǎn)值為2，000億臺(tái)幣，貢獻(xiàn)臺(tái)積電年度總產(chǎn)值約28%的比例。而Sun也透露，臺(tái)積電的10納米節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)將采用浸潤(rùn)式微影設(shè)備，至于更先進(jìn)制 程節(jié)點(diǎn)將采用何種微影工具則尚未公布。

　　“我們正在與ASML合作，目標(biāo)是在未來(lái)某個(gè)時(shí)候如果超紫外光微影(EUV)準(zhǔn)備就緒，我們就能將 該技術(shù)部分應(yīng)用于10納米制程節(jié)點(diǎn);”Sun解釋，所謂的部分應(yīng)用指的是指在少數(shù)關(guān)鍵電路層采用，而在10納米以下制程節(jié)點(diǎn)使用EUV微影仍要看該技術(shù)是 否準(zhǔn)備好量產(chǎn)：“相關(guān)工作仍在持續(xù)進(jìn)展。”