小改變大不同 揭秘DDR4內存與DDR3區(qū)別
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DDR3內存自從2007年服役以來，至今已經走過了8個年頭。相比Intel的更新換代步伐來說，內存發(fā)展可謂相當緩慢。不過好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內存產品，起跳頻率達到2133MHz，標志著DDR3時代的終結。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/270263.htmDDR4內存雖然醞釀了很長時間，但是由于DDR4內存標準一直遲遲未公布，廠家宣傳也很少，導致網友對DDR4內存了解甚少。那么今天筆者就帶著大家提前進入DDR4內存時代。
DDR4與DDR3內存差異一：處理器
Haswell-E架構圖解
每次內存升級換代時，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設計，DDR4內存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當高，并且不會同時支持DDR3和DDR4內存，所以增加了DDR4普及的門檻。
DDR4與DDR3內存差異二：外型
DDR4金手指變化較大
大家注意上圖，宇瞻DDR4內存金手指變的彎曲了，并沒有沿著直線設計，這究竟是為什么呢?一直一來，平直的內存金手指插入內存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內存下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4內存的金手指和內存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸起的部分和內存插槽產生足夠的摩擦力穩(wěn)定內存。
接口位置同時也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4內存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
DDR4與DDR3內存差異三：參數
DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。
默認頻率DDR42133CL15
DDR42133頻率下帶寬測試：48.4GB/s
從宇瞻32GBDDR4-2133內存來看，僅默認頻率帶寬就高達48.4GB/s，可見DDR4對系統(tǒng)性能提升重要性。
另外就是其它參數的改變，比如容量和電壓。
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB(單顆芯片512MB，共16顆)，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMDDR4的電壓還會降得更低。
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