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          英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2015-03-10 來(lái)源:EEWORLD 收藏
          編者按: 英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN器件,將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。

            日前簽署一項(xiàng)合作,聯(lián)合開(kāi)發(fā)器件,該產(chǎn)品是基于的增強(qiáng)型材料技術(shù)與的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/270825.htm

            日前,公司將率先推出600V 70mΩ的樣片,采用DSO封裝。

            作為下一代重要的半導(dǎo)體技術(shù),越來(lái)越受到重視,主要特點(diǎn)是具備高功率密度小尺寸的特點(diǎn),另一點(diǎn)則是提高能源效率的一大關(guān)鍵。

            一般來(lái)說(shuō),基于硅上GaN技術(shù)的電力設(shè)備可用于廣泛的領(lǐng)域,從高電壓的工業(yè)應(yīng)用,如服務(wù)器電源到DC-DC轉(zhuǎn)換的低電壓應(yīng)用等。

            IHS預(yù)測(cè),GaN功率器件相關(guān)市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)50%,從如今的1500萬(wàn)美元至2023年的8億美元。



          關(guān)鍵詞: 英飛凌 松下 GaN

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