性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更明顯　TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過去大幅提高，因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。

　　三層式儲(chǔ)存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長(zhǎng)。

　　在單層式儲(chǔ)存(SLC)、多層式儲(chǔ)存(MLC)及TLC三種形式的NAND快閃記憶體中，又以TLC性價(jià)比最為人所注目，因而吸引原始設(shè)備/設(shè)計(jì)制造商(OEM/ODM)的目光，并增加采用TLC顆粒比例，促進(jìn)TLC NAND快閃記憶體應(yīng)用版圖擴(kuò)張。

　　控制晶片技術(shù)突破　TLC SSD傾巢而出

　　看好TLC在固態(tài)儲(chǔ)存市場(chǎng)的發(fā)展前景，慧榮科技發(fā)布新一代TLC控制晶片--SM2256，能大幅提升TLC NAND快閃記憶體高達(dá)三倍的寫入/抹除次數(shù)(P/E Cycle)，解決其過去為人詬病的使用壽命和可靠度不佳等問題，可望助力品牌廠加速推出高性價(jià)比的消費(fèi)性TLC固態(tài)硬碟。

　　圖1　慧榮科技產(chǎn)品企劃部專案副理陳敏豪表示，藉由先進(jìn)的控制晶片技術(shù)，TLC固態(tài)硬碟的使用壽命及穩(wěn)定度將大幅增加。

　　慧榮科技產(chǎn)品企劃部專案副理陳敏豪(圖1)表示，相較于SLC和MLC顆粒，TLC NAND快閃記憶體擁有顯著的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，單單比較TLC與MCL NAND市價(jià)，兩者價(jià)差約介于20~30%之間;而隨著制程進(jìn)一步微縮，TLC NAND成本未來仍有下滑空間。

　　陳敏豪指出，雖然TLC顆粒具成本優(yōu)勢(shì)，但在使用壽命、速度、可靠性和錯(cuò)誤率等方面卻為人詬病，須以先進(jìn)的控制晶片及大量的預(yù)留空間(Over-provisioning)來進(jìn)行糾錯(cuò)及校準(zhǔn);也因此，目前僅有三星、新帝(SanDisk)兩家品牌廠在消費(fèi)零售市場(chǎng)先后推出TLC固態(tài)硬碟。

　　為解決上述困境，慧榮科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256，提升TLC NAND三倍的寫入/抹除次數(shù)，進(jìn)而延長(zhǎng)其使用壽命，使TLC固態(tài)硬碟更能兼具成本及效能優(yōu)勢(shì)。

　　陳敏豪解釋，NAND快閃記憶體的控制晶片向來系采用 BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)編碼進(jìn)行糾錯(cuò)，而慧榮科技則轉(zhuǎn)而選用低密度奇偶修正碼(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式，研發(fā)出獨(dú)有的“NANDXtend”錯(cuò)誤修正技術(shù)。

　　據(jù)悉，“NANDXtend”技術(shù)可高速平行解碼且即時(shí)精準(zhǔn)修正錯(cuò)誤，并依糾錯(cuò)的難易度來分層開啟修正機(jī)制，有效增加TLC NAND的寫入/抹除次數(shù)，解開TLC NAND長(zhǎng)期以來讀寫次數(shù)不理想的桎梏。

　　陳敏豪透露，目前SM2256已通過三家主要NAND快閃記憶體供應(yīng)商--東芝(Toshiba)、三星、SK Hynix的測(cè)試，而采用慧榮科技控制晶片的TLC固態(tài)硬碟最快2015年第一季即可上市。

　　陳敏豪預(yù)測(cè)，2015年是TLC固態(tài)硬碟起飛元年，未來將會(huì)有更多廠商推出TLC固態(tài)硬碟，大舉搶攻消費(fèi)零售市場(chǎng)，進(jìn)而瓜分三星、SanDisk市占。值得注意的是，除了消費(fèi)零售市場(chǎng)外，PC-OEM業(yè)者也正密切關(guān)注TLC固態(tài)硬碟應(yīng)用于桌上型電腦、筆記型電腦的可行性;因此，未來TLC固態(tài)硬碟更可望進(jìn)攻電腦市場(chǎng)，挑戰(zhàn)MLC固態(tài)硬碟的主流地位。

　　3D/TLC NAND齊頭并進(jìn)　Flash產(chǎn)業(yè)邁入轉(zhuǎn)捩點(diǎn)

　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究預(yù)估，2015年NAND快閃記憶體產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%，市場(chǎng)規(guī)模約為276億美元。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?015年NAND快閃記憶體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入關(guān)鍵時(shí)刻。由于各家業(yè)者有志一同盡量降低產(chǎn)能增加速度，因此預(yù)估2015年總晶圓投片量年成長(zhǎng)率只有約8%。供給端發(fā)展重心將會(huì)放在15/16奈米的制程轉(zhuǎn)進(jìn)、3D NAND快閃記憶體的開發(fā)，以及TLC產(chǎn)品應(yīng)用的擴(kuò)張。

　　據(jù)了解，三星(Samsung)已于2014年第四季順利量產(chǎn)3D NAND快閃記憶體并導(dǎo)入企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟產(chǎn)品，2015年更預(yù)計(jì)全面導(dǎo)入消費(fèi)性固態(tài)硬碟中。

　　另一方面，英特爾(Intel)則在2015年的投資人會(huì)議中揭露與美光(Micron)共同開發(fā)的3D NAND固態(tài)硬碟開始進(jìn)入試作階段，預(yù)計(jì)在2016年年中之后正式出貨。

　　楊文得預(yù)期，英特爾的動(dòng)作將加速其他尚未明確公布量產(chǎn)計(jì)畫的廠商推出3D NAND快閃記憶體的時(shí)程;而在價(jià)格、性能與控制晶片搭配性的各種因素考量下，3D NAND快閃記憶體應(yīng)用普及時(shí)間點(diǎn)將會(huì)落在2015年第四季之后。

　　值得注意的是，具有顯著性價(jià)比優(yōu)勢(shì)的TLC NAND快閃記憶體，已由三星率先證明其市場(chǎng)價(jià)值。該公司利用TLC NAND快閃記憶體在eMMC/eMCP與消費(fèi)性固態(tài)硬碟市場(chǎng)取得成功，因此其他業(yè)者自2015年下半年起也可望陸續(xù)推出TLC的相關(guān)嵌入式產(chǎn)品。

　　事實(shí)上，蘋果的iPhone 6即首度采用TLC做為儲(chǔ)存裝置，可望帶動(dòng)其他品牌廠提高采用意愿。DRAMeXchange預(yù)期，2015年TLC的產(chǎn)出比重將快速攀升至41%。

　　楊文得認(rèn)為，隨著行動(dòng)運(yùn)算硬體競(jìng)爭(zhēng)從高階轉(zhuǎn)向中低階機(jī)種，TLC顆粒較能夠滿足業(yè)者對(duì)于成本的考量，加上目前控制技術(shù)已能大幅改善TLC的速度與效能問題，因此主要個(gè)人電腦(PC)與行動(dòng)裝置品牌業(yè)者都將逐漸開始采用TLC產(chǎn)品，尤其TLC固態(tài)硬碟更將于2015年大舉出籠。