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          瑞薩科技發(fā)布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散熱型封裝

          作者:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 時(shí)間:2004-07-27 來源:電子設(shè)計(jì)應(yīng)用 收藏
          公司宣布開發(fā)出LFPAK-I(無損耗-倒裝型)上表面散熱型,作為新的功率MOSFET形式,它通過使用頂面安裝熱沉大大提高了散熱特性,通過使用上表面散熱結(jié)構(gòu)提高了電流能力。作為初始階段產(chǎn)品,現(xiàn)在正發(fā)布3種服務(wù)器DC-DC電源穩(wěn)壓器(VR)功率MOSFET:HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N,從2004年7月開始,將在日本開始樣品發(fā)貨。

          這種新封裝的特性總結(jié)如下。

          (1)與先前的封裝相比,安裝散熱熱阻值減小了40%,電流容量大約提高了30%。
          LFPAK-I使用一種管芯散熱管座暴露在封裝上表面的結(jié)構(gòu),與目前的通過印刷線路板散熱的LFPAK封裝形式相比,LFPAK-I的熱沉安裝在頂部(使用強(qiáng)制空氣冷卻時(shí)),熱飽和狀態(tài)下的安裝熱阻值大約減小了40%,從25



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