SK海力士今年成長三大核心　20納米、M14新廠、3D NAND

　　面對競爭激烈的半導(dǎo)體市場，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續(xù)成長，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng)，以及強(qiáng)化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。

　　根據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo)，SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示，2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會開始量產(chǎn)22納米DRAM。

　　SK海力士近2年業(yè)績屢創(chuàng)新高，主力產(chǎn)品DRAM銷售長紅居功厥偉。

　　然而基于半導(dǎo)體事業(yè)特性，DRAM市場春天難以長久維持，且與競爭業(yè)者間的技術(shù)競爭也愈發(fā)激烈，讓公司內(nèi)部危機(jī)感高漲。22納米DRAM能否研發(fā)成功并快速量產(chǎn)，將是SK海力士維持競爭力并持續(xù)成長的關(guān)鍵。

　　樸星昱表示，存儲器市場因技術(shù)難度增高，制程轉(zhuǎn)換與確保生產(chǎn)效能的難度也跟著提升，反觀客戶端對于產(chǎn)品質(zhì)量的供應(yīng)穩(wěn)定性卻更為要求。身為存儲器業(yè)者，基礎(chǔ)競爭力愈來愈重要。也因此，量產(chǎn)22納米DRAM，成為克服SK海力士目前難題的核心關(guān)鍵。22納米DRAM若成功量產(chǎn)，將可一口氣提升競爭力與收益性，也可縮短跟三星電子(Samsung Electronics)之間的微細(xì)制程差距。

　　另一方面，透過利川M14新廠打造業(yè)界最高水準(zhǔn)的量產(chǎn)系統(tǒng)，并強(qiáng)化TLC與3D垂直構(gòu)造等NAND元件競爭力，也是SK海力士2015年的兩大主要課題。

　　總投資金額達(dá)2.1兆韓元的M14廠，是用來取代老舊DRAM廠的核心基礎(chǔ)設(shè)施。SK海力士計(jì)劃借由M14廠建構(gòu)業(yè)界最高水準(zhǔn)的量產(chǎn)系統(tǒng)，將8吋(200mm)晶圓生產(chǎn)設(shè)備改造為12吋(300mm)晶圓用設(shè)備，可望克服產(chǎn)能低落的問題。預(yù)定在2015年上半完工，自下半年開始稼動。

　　此外，SK海力士存儲器事業(yè)80%集中在DRAM領(lǐng)域，因此NAND事業(yè)若能依預(yù)期成長，將有助于SK海力士事業(yè)的多元化發(fā)展。業(yè)界預(yù)測SK海力士將在第2季推出TLC NAND，第3季推出3D NAND產(chǎn)品。樸星昱表示2015年將透過強(qiáng)化TLC與3D等NAND元件競爭力，以及補(bǔ)強(qiáng)解決方案實(shí)力等策略，確實(shí)地在市場上站穩(wěn)腳步。