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華人科學(xué)家首獲國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)

作者：時(shí)間：2015-05-26 來源：中國(guó)科學(xué)報(bào)

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　　在第27屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)上，電子科技大學(xué)教授、中國(guó)科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)，獲“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為首位獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的華人科學(xué)家。

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/274715.htm

　　國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)年會(huì)，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)。

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