FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。

　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。

　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈米，未來將因制程變化而帶給設(shè)備商20至30%的成長空間;另外，3D NAND是記憶體產(chǎn)業(yè)數(shù)十年來最大的技術(shù)演進，隨著3D NAND堆疊層數(shù)不斷增加，亦將進一步推升半導(dǎo)體設(shè)備需求規(guī)模。

　　有鑒于此，應(yīng)用材料針對3D NAND部分，已于今年7月推出新款蝕刻系統(tǒng)--Centris Sym3，據(jù)了解，該系統(tǒng)能改善均勻度的挑戰(zhàn)。所謂均勻度，指的是晶圓中央相較于晶圓邊緣的均勻和一致性，而此系統(tǒng)能夠提升效能和良率，目前出貨已超過300臺。

　　另外，余定陸指出，在電晶體技術(shù)方面，FinFET未來可能利用新材料，譬如矽鍺(Silicon Germanium)，或是新架構(gòu)比方像Gate all Around，這些新的材料與架構(gòu)將有利該公司的磊晶技術(shù)發(fā)展。

　　同時當(dāng)發(fā)展至20奈米以下的制程時，在導(dǎo)線方面將會遇到可靠度的挑戰(zhàn)，為因應(yīng)此挑戰(zhàn)，該公司利用新元素--鈷(Cobalt)，來推出化學(xué)氣相沉積鈷金屬(CVD Cobalt)系統(tǒng)，藉以改善可靠度的問題。

　　值得一提的是，面對中國近年半導(dǎo)體設(shè)備商崛起，是否對半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)造成影響?余定陸認為，要發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備，必須花費至少十億美金，以及尋找適當(dāng)?shù)娜瞬?團隊投入，同時需要較長的投資期限，因此較不容易影響原有的設(shè)備商。