美光新型存儲器要替代NOR快閃存儲器

　　是時候該跟平凡無奇的NOR快閃存儲器說再見了?美光科技(Micron)最近發(fā)表最新XTRMFlash系列產(chǎn)品，號稱速度可達到3.2Gb/s，而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲器接腳相容。

　　美光嵌入式業(yè)務(wù)部門NOR快閃存儲器產(chǎn)品總監(jiān)Richard De Caro表示：“并列式快閃存儲器的時代已經(jīng)結(jié)束了，美光新推出的XTRMFlash將可在接下來取代目前市面上的并列式與串列式存儲器──也許除了一些 低密度應(yīng)用。”美光將為新產(chǎn)品推出容量從128Mb~2Gb的產(chǎn)品，目前第一波512Mb的產(chǎn)品已可提供樣品。

　　美光已經(jīng)取得了包括飛思卡 爾半導(dǎo)體(Freescale)在內(nèi)數(shù)家大型晶片供應(yīng)商的背書;XTRMFlash新產(chǎn)品的問世也正與研究機構(gòu)Databeans最新預(yù)測相符──該機構(gòu) 預(yù)期，車用半導(dǎo)體營收規(guī)模將由今年的285億美元擴展至2020年的400億美元，其中有大部分應(yīng)用是取決于NOR快閃存儲器，包括GPS、衛(wèi)星無線電、 車輛對車輛通訊以及車用資通訊娛樂系統(tǒng)。

　　根據(jù)De Caro的說法，XTRMFlash的性能超越并列式、串列式以及Quad-SPI等類NOR快閃存儲器，其接腳數(shù)比目前的并列式NOR快閃存儲器減少 75%;此外該技術(shù)的隨機存取時間最快83奈秒(nanoseconds)、循序位元組讀取(sequential byte read)最快2.5奈秒，傳輸速度400MB/s (高于并列與串列快閃存儲器)。

　　XTRMFlash也能與目前串列式快閃存儲器采用 的Quad SPI接腳相容，只需小幅改變電路板設(shè)計就能達到上述的性能規(guī)格。美光表示最近已經(jīng)在一些熱門的汽車、工業(yè)與消費性領(lǐng)域“永不關(guān)機”應(yīng)用，測試其 XTRMFlash存儲器，能為人機介面、圖形式使用者介面(GUI)、儀器儀表、車用資通訊系統(tǒng)與先進駕駛?cè)溯o助系統(tǒng)(ADAS)帶來及時性的成功。