集成電路行業(yè):Memory產(chǎn)業(yè)格局巨變 利好全產(chǎn)業(yè)鏈

　　Memory產(chǎn)業(yè)格局巨變。紫光股份(103.50, 5.50, 5.61%)間接注入閃迪和同方國芯(59.33, 0.79, 1.35%)800億元定增募投Memory產(chǎn)業(yè)。兩次運作后，紫光集團(tuán)間接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash產(chǎn)能，未來再有望進(jìn)入DRAM領(lǐng)域，國內(nèi)Memory產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生巨變。

　　中國切入Memory優(yōu)勢有三。優(yōu)勢一，進(jìn)口替代空間大，成長性好。2014年國內(nèi)Memory規(guī)模520億美元，自給率幾乎為0。同時2012-2018年DRAM和NANDFlash復(fù)合增長率5.5%和11.0%，高于半導(dǎo)體行業(yè)平均增速4.6%。優(yōu)勢二，切入Memory門檻低，主要來自標(biāo)準(zhǔn)化(下游轉(zhuǎn)換成本低)、制程要求低(避開中國軟肋)、設(shè)計難度低。優(yōu)勢三，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策扶持和國內(nèi)制造優(yōu)勢。

　　第一步NANDFlash，第二步DRAM。國內(nèi)切入Memory領(lǐng)域分兩步走，第一步進(jìn)入NANDFlash領(lǐng)域，15-18年全球復(fù)合增長20%，2018年中國市場容量180億美元，并有望有3DNAND實現(xiàn)彎道超車。第二步有望進(jìn)入DRAM領(lǐng)域，15-18年復(fù)合增長12.1%，2018年中國市場容量210億美元。不過產(chǎn)業(yè)巨頭在擴(kuò)產(chǎn)和提高技術(shù)進(jìn)入門檻，有意減緩中國進(jìn)入腳步。

　　行業(yè)給予“推薦”評級。Memory肩負(fù)中國集成電路在2015-2020階段自給率從10%提升至40%的歷史使命，在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和政策支持的背景下，未來行業(yè)性的投資機(jī)會將持續(xù)。其中上游看好上海新陽(41.950, 0.25, 0.60%)、中環(huán)股份(13.41, 0.28, 2.13%)、七星電子(19.28, 0.00, 0.00%)，中游看好同方國芯，下游看好太極實業(yè)(9.91, 0.34, 3.55%)和長電科技(22.02, 0.00, 0.00%)。

　　風(fēng)險提示:Memory進(jìn)口替代進(jìn)程不及預(yù)計和行業(yè)競爭風(fēng)險。