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          TrendForce:經(jīng)濟(jì)前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

          作者: 時間:2015-12-16 來源:集微網(wǎng) 收藏

            全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明,各項終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/284397.htm

            DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Flash產(chǎn)出將大于需求力道,價格下滑幅度也將大于過去兩年。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體NAND Flash產(chǎn)值僅年增長0.2%,達(dá)266億美元,多數(shù)NAND Flash供貨商將面臨營運利潤壓縮的挑戰(zhàn)。

            2016年NAND Flash產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下:

            3D-NAND Flash開發(fā)進(jìn)度為聚焦重點

            2016年是制程轉(zhuǎn)進(jìn)以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵時期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后,后續(xù)制程微縮的空間將面臨瓶頸,再加上三星早已量產(chǎn)3D-NAND Flash并成功打開在SSD的市占率,刺激其他NAND Flash廠商也陸續(xù)從今年第四季開始加速3D-NAND Flash的開發(fā)。DRAMeXchange預(yù)估2016年總晶圓投片量(12寸約當(dāng))達(dá)到1670萬片,年增長12%,而因3D-NAND Flash的開發(fā)加速進(jìn)行,預(yù)估2016年位元供給率將較今年大幅增長50%,為近四年來新高。

            三星的3D-NAND Flash去年開始正式量產(chǎn),今年憑著積極的價格策略及優(yōu)異的性能迅速拉開與各家廠商的競爭步伐,迫使其他廠商加速3D-NAND Flash的開發(fā),預(yù)期其他廠商3D-NAND Flash的固態(tài)硬盤也將在2016年第三季可供系統(tǒng)OEM廠商進(jìn)行認(rèn)證流程。楊文得表示,雖然整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在今年第四季僅有11%,但2016年可望大幅增長至30%,此舉也將有助于降低固態(tài)硬盤的成本來提高系統(tǒng)OEM廠商的固態(tài)硬盤滲透率。

            中國廠商布局日趨完整,扮演NAND Flash產(chǎn)業(yè)變化的關(guān)鍵角色

            楊文得表示,今年中國半導(dǎo)體廠商投資NAND Flash存儲相關(guān)公司的腳步加快,以及在NAND Flash上中下游產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,未來3-5年中國廠商以及中國市場將對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的變化扮演關(guān)鍵地位。

            在中國政府強(qiáng)力主導(dǎo)下,目前中國以強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場吸引力來加大NAND大廠投資建廠規(guī)模的成效已開始發(fā)酵,如三星西安廠持續(xù)擴(kuò)廠,英特爾也確定將原先邏輯制程的大連晶圓廠轉(zhuǎn)為生產(chǎn)NAND Flash的半導(dǎo)體廠。DRAMeXchange預(yù)估在2016年底前,NAND Flash國際大廠在中國生產(chǎn)的晶圓量占比可來到8%,未來增長的幅度將快速提升。

            終端設(shè)備NAND Flash產(chǎn)品平均搭載量攀升,固態(tài)硬盤為需求動能亮點

            楊文得表示,全球總體經(jīng)濟(jì)不確定的因素升高影響2016年各項NAND Flash終端需求,在設(shè)備端出貨量增長有限的情況下,明年NAND Flash需求面將著重在平均搭載量的增長,又因NAND Flash價格滑落的速度加快,DRAMeXchange預(yù)估2016年智能手機(jī)的eMMC與消費級固態(tài)硬盤(Client-SSD)平均容量將較今年增長30%以上。

            消費級固態(tài)硬盤部分,3D-NAND Flash的開發(fā)與的普及率提升都加速了固態(tài)硬盤價格滑落的速度,也增強(qiáng)個人計算機(jī)(PC)廠商的采購與設(shè)計意愿,DRAMeXchange統(tǒng)計2015年的筆記本電腦SSD搭載率約為27%,預(yù)期2016年年底128GB的固態(tài)硬盤將低于500GB的傳統(tǒng)硬盤、256GB的固態(tài)硬盤價格也將逼近1TB的傳統(tǒng)硬盤,DRAMeXchange預(yù)估2016年筆記本電腦固態(tài)硬盤搭載率將突破30%。

            此外,強(qiáng)調(diào)及時運算以及效能的數(shù)據(jù)中心需求量大增,各項云端運算與服務(wù)也隨著APP在智能型手機(jī)的應(yīng)用快速增長,整體企業(yè)級固態(tài)硬盤(Enterprise-SSD)的需求維持強(qiáng)勁的增長態(tài)勢。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體固態(tài)硬盤位消耗量份額將到35%,較今年的30%提升不少,成為各NAND Flash終端需求項目中表現(xiàn)最為強(qiáng)勁的種類。



          關(guān)鍵詞: NAND Flash TLC

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