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          一種電源跟隨電路射頻受擾失效仿真分析

          作者:張萍 熊雪峰 鄒愛(ài)華 時(shí)間:2015-12-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:本文介紹了一種分析且解決汽車(chē)零部件電路射頻受擾失效問(wèn)題的快速便捷方法,通過(guò)電磁兼容仿真軟件仿真計(jì)算電源失效電路特性阻抗并模擬干擾源,準(zhǔn)確高效且低成本地找到失效原因和解決方案。

            通過(guò)圖4、圖5的電壓波形可以正式確定單片機(jī)的地與跟隨器芯片的地之間的阻抗太大是整個(gè)產(chǎn)品失效的根本原因。需要更改產(chǎn)品的印制電路板布局設(shè)計(jì),盡量使跟隨器芯片與單片機(jī)靠近,保證兩個(gè)芯片地的完整性。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/284992.htm

          3 整改方案仿真分析

          3.1 PCB更改后單片機(jī)的地與跟隨器芯片的地之間的阻抗仿真分析

            針對(duì)失效產(chǎn)品仿真分析后,重新設(shè)計(jì)產(chǎn)品印制電路板布局,盡量保證整個(gè)地的完整性。然后對(duì)重新設(shè)計(jì)的印制電路板進(jìn)行了產(chǎn)品生產(chǎn)前的仿真,最后發(fā)現(xiàn)改進(jìn)后的印制電路板布局設(shè)計(jì)保證了產(chǎn)品單片機(jī)的地與跟隨器芯片的地之間的阻抗處于理的范圍,參考仿真波形圖6所示。

          3.2 PCB更改后跟隨器芯片與單片機(jī)地之間的阻抗造成的電壓波動(dòng)仿真分析

            同樣對(duì)更改后的PCB板進(jìn)行BCI的CW仿真分析,發(fā)現(xiàn)在20Mhz時(shí),單片機(jī)地和跟隨器芯片地之間阻抗造成的電壓波動(dòng)只有0.002V見(jiàn)圖7,而在400Mhz時(shí)單片機(jī)地和跟隨器芯片地之間阻抗造成的電壓波動(dòng)只有0.04V見(jiàn)圖8。

            通過(guò)對(duì)更改后的印制電路板仿真分析,發(fā)現(xiàn)更改后的印制電路板的跟隨器芯片與單片機(jī)地之間的阻抗在大電流注入試驗(yàn)時(shí)造成的電壓波動(dòng)非常小,滿足整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。

            對(duì)整改后的產(chǎn)品重新進(jìn)行大電流注入實(shí)測(cè)試驗(yàn),整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中產(chǎn)品功能一切正常,滿足了實(shí)驗(yàn)的要求。

          4 結(jié)論

            在對(duì)失效問(wèn)題進(jìn)行一定的理論分析之后,再采用電磁兼容仿真軟件,可以模擬復(fù)雜的整車(chē)環(huán)境對(duì)測(cè)試模塊進(jìn)行良好的建模仿真分析,并可以高效準(zhǔn)確地找到失效問(wèn)題點(diǎn)和整改方案,為項(xiàng)目開(kāi)發(fā)節(jié)省更多的時(shí)間和成本。

          參考文獻(xiàn):

            [1]ISO11452-1 Road vehicles- Electrical disturbances by narrowband radiated electromagnetic energy – Component test methods[s]

            [2]ISO11452-4 Road vehicles-Component test methods for electrical disturbances from narrowband radiated electromagnetic energy [s]

            [3]GB/T 17619-1998 機(jī)動(dòng)車(chē)電子電器組件的電磁輻射抗擾性限值和測(cè)量方法[c]

            [4]劉騫 車(chē)載電子設(shè)備的電磁兼容研究[M]。 湖南:中南大學(xué),2004

            [5]王守蘭,楊自佑. 電磁兼容原理與應(yīng)用[M]。 北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2006

            [6]Luca Di Rienzo, Flavia Grassi and Sergio A. Pignari, “FIT Modeling of Injection Probes for Bulk Current Injection”


          本文來(lái)源于中國(guó)科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2016年第1期第49頁(yè),歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用,并注明出處。


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