這些牛逼的臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè) 中國(guó)大陸怎么追

　　臺(tái)積電

　　(一)公司簡(jiǎn)介

　　沿革與背景

　　臺(tái)積電成立于1987年2月21日，是全球第一家也是全球最大的專(zhuān)業(yè)集成電路(IC)制造服務(wù)公司，公司經(jīng)營(yíng)策略為只提供客戶專(zhuān)業(yè)集成電路之制造技術(shù)服務(wù)，而不設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、或銷(xiāo)售自有品牌產(chǎn)品，不與客戶做商品之競(jìng)爭(zhēng)。

　　公司在北美、歐洲、日本、中國(guó)大陸、南韓、印度等地均設(shè)有子公司或辦事處，產(chǎn)能亦來(lái)自海外子公司為WaferTech美國(guó)子公司、臺(tái)積電(上海)有限公司，及新加坡合資SSMC公司之支援。

　　公司首創(chuàng)建置資訊平臺(tái)—虛擬晶圓廠(Virtual Fab)，提供整套服務(wù)，客戶也可從晶圓廠、封裝廠、到測(cè)試廠整個(gè)供應(yīng)鏈掌握訂單進(jìn)度。

　　2.營(yíng)業(yè)項(xiàng)目與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

　　業(yè)務(wù)范圍涵蓋IC制造服務(wù)及其相關(guān)項(xiàng)目，提供包括晶圓制造、光罩制作、晶圓測(cè)試與錫鉛凸塊封裝及測(cè)試等客戶支援服務(wù)。

　　晶圓代工服務(wù)，包括一般邏輯制程技術(shù)、非揮發(fā)性嵌入式存儲(chǔ)(Embedded Non-volatile Memory)制程、嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(Embedded DRAM)制程、混合訊號(hào)/射頻(Mixed Signal/ RF)制程、高壓(High Voltage)制程、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體影像感應(yīng)器(CMOS Image Sensor)、彩色濾光片(Color Filter)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、硅鍺(Silicon Germanium)制程等。 2015年Q3，16/20納米占21%、28納米營(yíng)收占比27%、40/45納米14%、65納米占11%、90納米占8%、0.11/0.13微米占2%、0.15/0.18微米占12%、0.25/0.35微米占5%。下游應(yīng)用比重：通訊占59%、消費(fèi)性電子8%、工業(yè)用25%、電腦相關(guān)8%。

　　(二)產(chǎn)品與競(jìng)爭(zhēng)條件

　　產(chǎn)品與技術(shù)簡(jiǎn)介

　　臺(tái)積電在技術(shù)及產(chǎn)能均居產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，是全球第一家有能力量產(chǎn)40納米以下技術(shù)的晶圓代工廠，其40納米規(guī)模與 良率優(yōu)于同業(yè)，40納米占全球8～ 9成市占，28/20納米生產(chǎn)時(shí)程至少領(lǐng)先同業(yè)三季以上。 先進(jìn)制程發(fā)展上，于2002年，在十二廠完成十二吋支持90納米(nm)研發(fā)試產(chǎn)線;2007年，公司為全球第一家導(dǎo)入45nm量產(chǎn)之晶圓代工廠。至2009年第四季，來(lái)自于65nm及其他更先進(jìn)制程占營(yíng)收達(dá)39%。2011年10月，完成首件采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A15處理器設(shè)計(jì)定案(Tape Out)。

　　臺(tái)積電布局3D IC的硅穿孔(TSV)制程，以CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)制程模式生產(chǎn)，即將邏輯芯片和DRAM放在硅中介層(interposer)上面，然后封裝在基板上，公司要提供全套服務(wù)，包括下游封裝測(cè)試。整套流程包括，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、芯片基板鍵合(Chip on Substrate)及芯片封測(cè)等技術(shù)，將各種邏輯和存儲(chǔ)芯片精準(zhǔn)疊合。

　　2012年下半年起開(kāi)始20nm制程技術(shù)進(jìn)行試產(chǎn)工作，以平面制程(planar process)為基礎(chǔ)，并采用高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)、第五代創(chuàng)新應(yīng)變硅(strained silicon )以及超低介電值銅導(dǎo)線等技術(shù)。跳過(guò)22nm制程，直接導(dǎo)入20nm制程技術(shù)，主因于20nm制程技術(shù)的閘密度、芯片效能與成本比，較22nm更具成本優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電的微影技術(shù)也跨入下一世代，與Mapper合作無(wú)光罩多重電子束微影技術(shù)，以及與ASML合作的極紫外光(EUV)微影技術(shù)等。

　　2012年10月，CoWoS測(cè)試芯片成功地整合Wide I/O介面將邏輯系統(tǒng)單芯片與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)結(jié)合于單一模組，在芯片成品制造完成之前，公司的CoWoSTM技術(shù)透過(guò)將芯片堆疊于晶圓之上(Chip on Wafer)的封裝技術(shù)，提供客戶前端晶圓制造服務(wù)，藉由搭配Wide I/O行動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)介面，使這顆整合芯片可提供優(yōu)化的系統(tǒng)效能，更小的產(chǎn)品外觀尺寸，并且明顯改善芯片之間的傳輸頻寬。此次合作伙伴結(jié)合SK Hynix公司提供Wide I/O動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)、Cadence公司支援Wide I/O行動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)硅智財(cái)、益華(Cadence)公司與明導(dǎo)國(guó)際(MentorGraphics )公司提供電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具。

　　因?yàn)榍度胧紽lash MCU持續(xù)成長(zhǎng)，且隨ARM架構(gòu)Cortex系列處理器發(fā)展、行動(dòng)終端裝置走向輕薄化，公司于2013年量產(chǎn)CoWos模型，以整合TSV與Silicon Interposer，并與晶圓代工業(yè)務(wù)結(jié)合。

　　臺(tái)積電3D IC技術(shù)進(jìn)程表

　　2013年4月，ARM與臺(tái)積電完成首件采用16納米FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A57處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)，雙方在6個(gè)月內(nèi)完成從暫存器轉(zhuǎn)換階層到產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案整個(gè)流程。Cortex-A57處理器，可支援行動(dòng)運(yùn)算、伺服器等高階產(chǎn)品。16納米FinFET量產(chǎn)時(shí)間提前至2015年。

　　臺(tái)積電的28納米產(chǎn)品線有低耗電(28LP)、高效能(28HP)、高效能低耗電(28HPL)、高效能行動(dòng)運(yùn)算(28HPM)、高效能精簡(jiǎn)型(HPC)五大制程。

　　28納米HKMG制程采用的是后閘極(gate-last)技術(shù)，對(duì)手提供的則是前閘極(gate-first)技術(shù)，后閘極技術(shù)能提供更佳的芯片效能。另外20納米將于2014年1月試產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)劃達(dá)1萬(wàn)片，2014年底產(chǎn)能預(yù)估達(dá)6萬(wàn)片。28納米HKMG制程又可分為HPM、HPC兩種。公司的28納米HPM制程已獲得約60個(gè)客戶的tape-out，相較于同業(yè)的LP制程，在耗電相同的情況下，產(chǎn)品速度可提升30%。另外，公司推出28納米HPC的低價(jià)版本，以供應(yīng)中低階智慧型手機(jī)客戶。

　　臺(tái)積電的16/20納米有90%的機(jī)臺(tái)設(shè)備均相容，故16納米FinFET制程的良率改善速度快，其良率已近20納米制程。此外，16nm FinFET制程區(qū)分為“16nm FinFET(CLN16FF)”及其改良版“16nm FinFET+(CLN16FF+)”兩種，已取得20個(gè)以上的設(shè)計(jì)定案(tape-out)，產(chǎn)品包括基頻、AP應(yīng)用處理器、網(wǎng)通、繪圖芯片、CPU、伺服器等，規(guī)劃于2015年Q3量產(chǎn)。

　　公司先進(jìn)制程進(jìn)度

　　資料日期：2015年10月

　　2015年臺(tái)積電資本支出預(yù)估在105~110億美元之間，主要用于8/12吋產(chǎn)能布建、先進(jìn)制程研發(fā)，以及先進(jìn)封裝產(chǎn)能;其中，16納米FinFET+月產(chǎn)能Q4將提升至5萬(wàn)片，2016年Q1將達(dá)8.7萬(wàn)片，2016年Q2則可達(dá)10萬(wàn)片目標(biāo)，將成為公司未來(lái)營(yíng)收成長(zhǎng)主力，產(chǎn)品比重將逐步超越20納米比重。公司宣布積極布局10納米制程，規(guī)劃2016年底前投產(chǎn)，2017年Q1出貨，主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾、三星等預(yù)計(jì)最快在2017年內(nèi)進(jìn)入量產(chǎn)，三星則規(guī)劃于2017下半年量產(chǎn)。 公司另跨足封裝領(lǐng)域，InFo封裝技術(shù)預(yù)計(jì)2016年開(kāi)始挹注獲利。 2015年12月，臺(tái)積電向投審會(huì)申請(qǐng)赴南京設(shè)立16納米制程的12吋晶圓廠，初步規(guī)劃月產(chǎn)能為2萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2018年下半年投產(chǎn)。

　　2.重要原物料及相關(guān)供應(yīng)商

　　IC制造從硅晶圓開(kāi)始，經(jīng)過(guò)一連串制程步驟，包括光學(xué)顯影、快速高溫制程、化學(xué)氣相沉積、離子植入、蝕刻、化學(xué)機(jī)械研磨等制程，需要原物料包括硅芯片、制程用化學(xué)原料、光阻、氣體，以及研磨液、研磨墊與鉆石碟等。

　　3.產(chǎn)能狀況與生產(chǎn)能力

　　公司在臺(tái)灣設(shè)有3座先進(jìn)的十二吋超大型晶圓廠(fab 12、14 & 15)、4座八吋晶圓廠(fab 3, 5, 6 & 8) 和1座六吋晶圓廠(fab 2)，并擁有二家海外子公司：WaferTech 美國(guó)子公司、臺(tái)積電(中國(guó))，以及新加坡(與NXP合資)SSMC公司之八吋晶圓廠產(chǎn)能支援。全球總部以及晶圓二廠、三廠、五廠、八廠及十二廠皆位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū);晶圓六廠及十四廠則位于臺(tái)灣臺(tái)南科學(xué)園區(qū))，大陸廠則位于上海松江。

　　2013年臺(tái)積電竹科12吋廠Fab12生產(chǎn)線投片，Q4于南科12吋廠Fab14以20納米量產(chǎn)蘋(píng)果A7處理器。臺(tái)積電規(guī)劃2014年底之前，20納米及16納米月產(chǎn)能達(dá)11萬(wàn)片，其中Fab14的P6廠采用16納米制程FinFET技術(shù)，預(yù)計(jì)在2014年5月投產(chǎn)，F(xiàn)ab14的P7廠預(yù)計(jì)于2015年4月開(kāi)始量產(chǎn)。18吋晶圓在新竹12廠第8期研發(fā)與試產(chǎn)，預(yù)計(jì)于2017年在中科15廠第5期正式量產(chǎn)。20納米已于Fab 12、Fab 14開(kāi)始量產(chǎn)，出貨時(shí)間于2014年Q2，2014年Q3放量。

　　2014年全年總產(chǎn)能1845萬(wàn)片相當(dāng)于8吋晶圓。

　　2014年Q2，竹科12 吋廠Fab12第6期、南科12吋廠Fab14第5期均進(jìn)入量產(chǎn)，F(xiàn)ab14第6期將于7月量產(chǎn)，第7期于2014下半年裝機(jī)，規(guī)畫(huà)2015年開(kāi)出16nm鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程產(chǎn)能。

　　2014年11月，公司擴(kuò)展后段封測(cè)布局，收購(gòu)Qualcomm龍?zhí)稄S，將該廠作為封測(cè)生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，以InFO技術(shù)拓展3D封裝市場(chǎng)，以強(qiáng)化一條龍服務(wù)，提升接單能力，預(yù)計(jì)2016年上半年可量產(chǎn)16納米芯片的整合扇出型(InFO)晶圓級(jí)封裝。2015年，上海松江廠規(guī)劃月產(chǎn)能增加至120千片。

　　2015年2月，臺(tái)積電于中科的晶圓廠投資案已通過(guò)，公司10納米級(jí)8納米的投資金額為7,000億元，其中中科廠占5,500億元，竹科研發(fā)中線與實(shí)驗(yàn)性產(chǎn)線占1,500億元;竹科十二廠規(guī)畫(huà)于2015年6月裝機(jī)，10納米制程于2016年Q4投片，2017年量產(chǎn)，期初月產(chǎn)能1萬(wàn)片;竹科十五廠方面，則是規(guī)畫(huà)興建3座廠房，主要為10納米制程，至2018年三座廠房產(chǎn)能全部啟用時(shí)，月產(chǎn)能可達(dá)9萬(wàn)片。 2015年政府開(kāi)放半導(dǎo)體業(yè)者赴陸?yīng)氋Y設(shè)立12吋晶圓廠，公司選定南京浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)作為設(shè)廠點(diǎn)，預(yù)計(jì)2016年動(dòng)工興建，2017年下半年進(jìn)行試產(chǎn)。

　　臺(tái)積電晶圓廠產(chǎn)能(千片)：

　　資本支出

　　2014年資本支出為95~100億元，但折舊金額將年增35%。其中，95%用于提升先進(jìn)制程，包括28nm擴(kuò)展及布建16nm、20nm制程。 臺(tái)積電董事會(huì)于2014年11月11日決議投入1,672億元，用來(lái)建置、擴(kuò)充28納米以下先進(jìn)制程及40納米以上制程產(chǎn)能。 2015年資本支出原訂為105～110 億美元，8成用于提升先進(jìn)制程。2015年10月，考量公司投片及生產(chǎn)效率提升，加上設(shè)備采購(gòu)時(shí)間延至2016年，將資本支出調(diào)降至80億美元。 2015年11月，公司透過(guò)董事會(huì)核定資本預(yù)算為1253.58億元，將用于擴(kuò)充先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以及興建廠房、安裝廠務(wù)系統(tǒng)等。

　　4.新產(chǎn)品與新技術(shù)

　　2018年量產(chǎn)18吋晶圓，屆時(shí)導(dǎo)入的技術(shù)將以10納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程為主，希望可以導(dǎo)入新一代的微影技術(shù)，除極紫外光(EUV)方案外，多重電子束(Multi E-Beam)也是考慮之一。

　　20納米之產(chǎn)能于2014年6月起量產(chǎn)，公司預(yù)期2014Q3、2014Q4及2015年將貢獻(xiàn)營(yíng)收分別為10%、20%與20%以上。

　　10納米制程則預(yù)定2015年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，10納米與16納米相比之下，速度快20%、功耗減少45%，電晶體密度也高出2.2倍，將于2016年量產(chǎn)。

　　16納米制程方面，公司規(guī)畫(huà)FinFET制程于2014年Q3進(jìn)行試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)間為2014年Q4，首批晶圓已于8月試產(chǎn)成功，產(chǎn)品為海思的64位元手機(jī)芯片Kirin 930，F(xiàn)inFET Plus制程則于2014年Q4試產(chǎn)，2015年Q1量產(chǎn)。

　　2014年9月，臺(tái)積電推出全球最低功耗及成本效益最佳的28納米高效能精簡(jiǎn)制程(28HPC)，該制程已開(kāi)始量產(chǎn)，主要應(yīng)用于智慧型手機(jī)、平板電腦等地64位元CPU ，且可將芯片尺寸縮小，功耗減少30%，速度在增加近兩成。

　　臺(tái)積電于2014年9月25日宣布，公司以16納米FinFET制程，為海思生產(chǎn)4G基地臺(tái)及網(wǎng)通設(shè)備用的處理器。公司表示16納米FinFET制程可改善速度與功率、降低漏電流，且解決先進(jìn)系統(tǒng)單芯片技術(shù)微縮時(shí)產(chǎn)生的障礙。

　　臺(tái)積電于2014年9月30日與ARM(安謀)共同宣布，完成驗(yàn)證以ARM的big.LITTLE技術(shù)及16納米FinFET制程的Cortex-A57與Cortex-A53處理器。2014年10月2日，攜手合作研發(fā)10納米FinFET制程，規(guī)劃2015年Q4完成首顆10納米制程64位元的ARM架構(gòu)處理器設(shè)計(jì)定案。 2014年11月13日，臺(tái)積電宣布已完成16納米FinFET+制程的網(wǎng)通IC及手機(jī)AP試產(chǎn)，規(guī)劃于2015年7月量產(chǎn)。 公司28nm制程及16nm制程皆具備成本優(yōu)勢(shì)，2015年推出HPC plus可大幅提升省電效能。此外10nm制程于2015年進(jìn)入認(rèn)證階段，7nm制程于同年開(kāi)始研發(fā)，預(yù)計(jì)2017年上半年可進(jìn)入量產(chǎn)。

　　臺(tái)積電之物聯(lián)網(wǎng)計(jì)畫(huà)

　　一、超低功耗平臺(tái)

　　利用開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)的硅智財(cái)與設(shè)計(jì)流程，建置物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)。臺(tái)積電于2014年下半年進(jìn)行研發(fā)，其0.18微米極低漏電、90納米超低漏電制程已進(jìn)入量產(chǎn)，而50/40/28納米制程也將于2015年內(nèi)逐步進(jìn)入量產(chǎn)，且提供加入RF及eFlash技術(shù)。超低功耗制程可降低操作電壓近三成，物聯(lián)網(wǎng)與穿戴式裝置電池壽命可延長(zhǎng)2倍以上。

　　二、MEMS

　　公司提供整合型制程，包括以晶圓級(jí)封裝將CMOS影像感測(cè)器與DSP整合，以及開(kāi)發(fā)CMOS MEMS取代傳統(tǒng)以封裝打線制程生產(chǎn)ASIC MEMS。

　　(三)市場(chǎng)需求與銷(xiāo)售競(jìng)爭(zhēng)

　　產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)與供需

　　IC產(chǎn)業(yè)鏈由上而下為設(shè)計(jì)、制造、封裝及測(cè)試，提供晶圓制造服務(wù)包括整合元件廠(IDM)及專(zhuān)業(yè)晶圓代工(Foundry)，其中IDM業(yè)務(wù)涵蓋IC設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試整個(gè)流程;Foundry如臺(tái)積電，僅從事IC制造之專(zhuān)業(yè)分工。

　　因?yàn)橄冗M(jìn)制程需要不斷投入資本并且因成本考量，IDM廠陸續(xù)將制造與后段封測(cè)等制程委外，大多IDM廠逐漸轉(zhuǎn)型成Fabless(無(wú)晶圓廠)經(jīng)營(yíng)型態(tài)，或Fablite(輕晶圓)趨勢(shì)。

　　受到IDM廠委外代工的趨勢(shì)，以晶圓代工產(chǎn)值按客戶型態(tài)之比重，F(xiàn)ables與IDM各占7：3，自2009年起擴(kuò)大到8：2，2010年IDM長(zhǎng)期外包比重超過(guò)2成，IDM廠對(duì)12吋產(chǎn)能需求持續(xù)提升，也是未來(lái)主要委外的部分。

　　在晶圓代工領(lǐng)域，全球前四大包括臺(tái)積電、聯(lián)電、GF(Global Foundries)和中芯國(guó)際，即占7成的營(yíng)收比重，顯示產(chǎn)業(yè)為寡占市場(chǎng)。

　　2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)約成長(zhǎng)4%，2014年成長(zhǎng)約5%，F(xiàn)abless產(chǎn)業(yè)方面，2013年成長(zhǎng)9%，至于晶圓代工產(chǎn)業(yè)，將成長(zhǎng)11%，2014年成長(zhǎng)約9%。

　　臺(tái)積電預(yù)估2014年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將年增7%、Fabless IC設(shè)計(jì)將年增9%、晶圓代工則年增14%。

　　2.銷(xiāo)售狀況

　　2014年Q1臺(tái)積電客戶以Fabless占87%、IDM廠占13%，前5大客戶為Qualcomm、NVIDIA、TI、Marvell、ADI等。

　　公司28納米市占率為100%，主要客戶有Altera及Xilinx、Nvidia、AMD和Qualcomm。

　　2013年上市的iPhone 5s改采A7芯片，逾五成訂單由臺(tái)積電負(fù)責(zé)。

　　2013年客戶營(yíng)收比重為高通為16%、博通9%、NVIDIA 9%、MTK7%、AMD/ATI 7%、其他53%。

　　2013年Q4銷(xiāo)售區(qū)域比重為北美74%、亞洲11%、大陸5%、歐洲7%、日本3%。

　　2014年Q2，公司獲得Apple A8處理器代工訂單。 2015年，公司獲蘋(píng)果擴(kuò)大釋出A9處理器代工訂單，自6月起正式量產(chǎn)，并以16納米鰭式場(chǎng)效電晶體加強(qiáng)版制程(FinFET Plus)量產(chǎn)，月投片量超過(guò)2萬(wàn)片。公司所生產(chǎn)的16納米A9芯片體積為104.5mm，較三星的14納米芯片體積稍大，但在效能測(cè)試軟體測(cè)試結(jié)果顯示，臺(tái)積電的芯片運(yùn)算功耗較三星的領(lǐng)先近2小時(shí)，有助公司取得iPhone A10訂單。 公司爭(zhēng)取蘋(píng)果16納米制程的A10處理器訂單，已規(guī)劃2016年3月開(kāi)始量產(chǎn)投片。而10納米制程陸續(xù)有客戶導(dǎo)入產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段。

　　晶圓代工應(yīng)用市占率

　　2014年Q2，公司20納米制程用于手機(jī)，已于6月出貨，而28納米受惠FPGA、LTE手機(jī)IC、GPU、車(chē)用IC等客戶訂單，為營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能。

　　截至2014年底，臺(tái)積電16納米客戶包括Avago、Freescale、LG、MTK、NVIDIA、Renesas、Xilinx等。

　　3.競(jìng)爭(zhēng)廠商

　　臺(tái)積電為全球第一大，就先進(jìn)制程上，根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，2013年全球晶圓代工市占率：臺(tái)積電(46%)、聯(lián)電(9%)、GF(1%)及Samsung(9 %)。

　　GlobalFoundries是從AMD分拆出來(lái)的，并且合并特許(Chartered)半導(dǎo)體后，成為全球第3大專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠，GF在先進(jìn)制程已追上聯(lián)電。 市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner(顧能)公告2014年全球晶圓代工市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積電因’28納米領(lǐng)先同業(yè)，市占率提升至53.8%，排名市場(chǎng)第一。

　　(四)財(cái)務(wù)相關(guān)

　　主要轉(zhuǎn)投資事業(yè)

　　(1)晶圓代工方面，包括持股38%世界先進(jìn)與SSMC，SSMC是NXP和臺(tái)積電在新加坡合資的8吋晶圓廠，臺(tái)積電持股40%，NXP為60%。還有轉(zhuǎn)投資美國(guó)子公司-WaferTech。 2014年4月11日，公司以每股42.55元出售世界8200萬(wàn)股，約5%股權(quán)，總金額為34.9億元，持股比例降至33%

　　(2)創(chuàng)意：提供IP設(shè)計(jì)服務(wù)，持股35%。

　　(3)采鈺：提供CMOS影像感測(cè)芯片測(cè)試業(yè)務(wù)，并于2007年跨入LED硅基封裝。2015年8月董事會(huì)通過(guò)以不超過(guò)39億元額度，取得CMOS影像感測(cè)器廠豪威(OmniVision)在臺(tái)投資公司、雙方合資公司采鈺(VisEra)股權(quán)，持股比重提升至98.2%。

　　(4)精材：提供晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)(WLCSP)封裝。持股比重77%。

　　(5)普瑞光電(BridgeLux)：為美國(guó)LED磊晶大廠，于2008年投資。

　　(6)茂迪：2009年12月，臺(tái)積電與茂迪簽署認(rèn)股結(jié)盟合約，正式入股太陽(yáng)能電池大廠茂迪，以認(rèn)購(gòu)茂迪公司私募發(fā)行之普通股新股共7,532萬(wàn)股，認(rèn)購(gòu)之總金額約62億元(約美金1.93億元)，掌握茂迪二成持股成為該公司最大股東。

　　(7)Stion：2010年6月，宣布旗下VentureTech Alliance公司投資美商Stion公司5000萬(wàn)美元(折合新臺(tái)幣約16億元)，并持有該公司約21%的股份，取得薄膜CIGS制程技術(shù)，雙方并在技術(shù)授權(quán)、生產(chǎn)供應(yīng)以及合作開(kāi)發(fā)方面簽訂協(xié)議。

　　(8)太陽(yáng)能方面：2009年12月，入股結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池茂迪，成為最大股東;2010年6月，入股薄膜太陽(yáng)能電池廠Stion，取得CIGS(銅銦鉀硒)制程技術(shù)，Stion授權(quán)并移轉(zhuǎn)其CIGS薄膜制程給臺(tái)積電，同時(shí)公司提供太陽(yáng)能電池模組給Stion。在太陽(yáng)能領(lǐng)域，公司同時(shí)發(fā)展結(jié)晶硅與薄膜太陽(yáng)能電池。

　　(9)2011年4月，將太陽(yáng)能事業(yè)獨(dú)立分割為新公司-臺(tái)積太陽(yáng)能股份有限公司，基準(zhǔn)日為8/1。 2015年8月，公司宣布旗下持股100%的臺(tái)積太陽(yáng)能，因業(yè)務(wù)發(fā)展已不具長(zhǎng)期經(jīng)濟(jì)效益，于8月底結(jié)束工廠營(yíng)運(yùn)。

　　(10)2008年投資美國(guó)LED磊晶大廠普瑞光電(BridgeLux)，BridgeLux開(kāi)發(fā)出氮化鎵上硅(GaN-On-Silicon)之LED技術(shù)，達(dá)每瓦135流明，為硅基板LED業(yè)界第一家具商品化等級(jí)效能的廠商。

　　(11)2011年4月，將LED事業(yè)獨(dú)立分割為新公司-臺(tái)積固態(tài)照明股份有限公司，基準(zhǔn)日為8/1。

　　2014年臺(tái)積電決定將臺(tái)積固態(tài)照明的94%持股售予晶電。

　　(12)2008年投資設(shè)備大廠ASML，預(yù)計(jì)于2015年Q2~Q3處分ASML持股。

 (13)2015年8月董事會(huì)通過(guò)收購(gòu)臺(tái)灣豪威控股公司100%股權(quán)。

　　由于篇幅原因，這里只介紹了上游知名的IC設(shè)計(jì)企業(yè)和中游的臺(tái)積電，另外還有另一個(gè)代工廠和封測(cè)廠商，在以下的文章會(huì)分析，敬請(qǐng)期待。