英飛凌拓展功率MOSFET和智能功率開關等汽車電子產(chǎn)品

　　在日前舉行的2004年國際汽車電子展（Convergence 2004）上，英飛凌科技公司推出了兩個全新產(chǎn)品家族：一個是功率MOSFET系列，另一個是基于新一代溝槽技術的智能高端開關IC系列。這兩個全新的產(chǎn)品系列進一步拓展了英飛凌專為滿足汽車電子元件苛刻的環(huán)境和運行要求而設計的功率IC產(chǎn)品的范圍。在汽車電子領域，英飛凌是公認的全球領導者。

　　此外，英飛凌還為通用汽車電子系統(tǒng)推出了功率MOSFET的OptiMOS-T產(chǎn)品系列，將溝槽技術與全綠色封裝工藝完美集于一身。與英飛凌OptiMOS平面工藝相比，這種全新的溝槽技術不僅提供同樣的堅實耐用性，同時還可實現(xiàn)10倍以上芯片密度的片上集成。英飛凌利用這種更高的邏輯能力設計了PROFET™智能高邊開關IC系列，這是世界首例采用溝槽技術的集成式智能開關系列。

英飛凌OptiMOS-T

　　為了給那些致力于以電子系統(tǒng)替代機械和液壓系統(tǒng)的汽車系統(tǒng)工程師提供一個新的設計選擇，英飛凌在其MOSFET家族中又推出了一種名為OptiMOS-T的55V溝槽式功率技術。這種OptiMOS-T技術用于在汽車應用中最大限度地減小導通電阻（Rdson）和傳導損耗。根據(jù)具體設計的不同，傳導損耗的降低將提高冷卻風扇等應用的工作效率，從而實現(xiàn)排放量和能耗的降低。例如，如果一輛汽車的能耗減少100瓦，它每100公里就可以節(jié)省0.15升燃料，同時，排放量也會相應減少。

　　OptiMOS-T家族的首款產(chǎn)品IPB100N06S3L-03是一種采用D2PAK封裝的2.7 mohm、55V N溝道MOSFET。在今后幾個月，英飛凌將推出一個導通電阻在2.7～25 mohm之間的完整產(chǎn)品系列。

　　“OptiMOS-T系列所采用的堅固和綠色環(huán)保的封裝工藝再次證明了英飛凌在汽車功率半導體應用領域的領導地位。這些產(chǎn)品在質量和可靠性方面都超出了客戶的期望，同時也更加堅定了英飛凌要將綠色環(huán)保技術帶入其所有產(chǎn)品的決心，”英飛凌（北美）公司汽車與工業(yè)部副總裁Christopher Cook說。

　　OptiMOS-T家族的所有產(chǎn)品均為無鉛型（無鉛電鍍、綠色環(huán)保鑄模材料），這就使汽車電子系統(tǒng)供應商們可以根據(jù)現(xiàn)行規(guī)定選用無鉛產(chǎn)品。OptiMOS-T產(chǎn)品均符合RoHS（有害物質限制使用）和WEEE（報廢電子電氣設備）規(guī)范的要求，且均能保持高達260