IR推出針對(duì)高效率高性能放大器的D類音頻DirectFET MOSFET
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功率管理廠商國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）為中等功率的D類音頻放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款設(shè)計(jì)旨在改進(jìn)音頻器件的效率、總諧波失真（THD）、功率密度等性能。D類放大器應(yīng)用廣泛，從電池驅(qū)動(dòng)的便攜式產(chǎn)品到高端的專業(yè)級(jí)放大器，從樂(lè)器到汽車和家庭多媒體系統(tǒng)均能適用。
在針對(duì)應(yīng)用專門優(yōu)化的硅片上，IR的DirectFET™封裝技術(shù)通過(guò)降低引線電感提高了D類音頻放大器的性能，進(jìn)而改善開(kāi)關(guān)性能、降低電磁噪聲。由于效率提升，無(wú)需散熱器即可在8歐阻抗上運(yùn)行100W功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積，設(shè)計(jì)布局更靈活，放大器成本也更低。
決定D類音頻性能的重要MOSFET參數(shù)包括器件導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵電荷Qg，這兩者決定放大器效率。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“IR在同步整流和功率MOSFET開(kāi)關(guān)電路上的專業(yè)技術(shù)適用于D類音頻拓?fù)?。綜合了IR獨(dú)特的DirectFET封裝和特殊應(yīng)用器件參數(shù)后， D類音頻性能封套將具備更高效率，更完善的EMI和更佳功率密度。
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產(chǎn)品 型號(hào) |
封裝 |
BVDSS(V) |
RDS(on) typ @10V(mOhm) |
ID @ Tc=25ºC(A) |
QG typ.(nC) |
QSW typ.(nC) |
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IRF6665 |
DirectFET™ |
100 |
51 |
19 |
8 |
3.5 |
IRF6665 D類音頻DirectFET™ MOSFET 現(xiàn)已供貨
評(píng)論