“十一五”我國將建立完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈

　　“十五”期間，在18號文件政策的引導(dǎo)和應(yīng)用市場的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴大，技術(shù)水平不斷提高，產(chǎn)業(yè)體系日趨完善，實現(xiàn)了較快發(fā)展。 

　　但我國集成電路產(chǎn)業(yè)仍存在許多問題和矛盾，與信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展要求仍存在相當(dāng)差距?！?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/十一五">十一五”是我國全面建設(shè)小康社會的重要時期，也是信息產(chǎn)業(yè)強國戰(zhàn)略的重要起步期，在這種新的形勢下，我們要推動集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)又好又快發(fā)展。 

　　優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè) 

　　“十五”期間，國家頒布了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》及《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開發(fā)專項基金管理暫行辦法》等一系列政策措施，為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)I造了良好的環(huán)境，有力地促進(jìn)了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國集成電路設(shè)計業(yè)得到長足進(jìn)步。 

　　“十一五”期間我們?nèi)詫猿忠约呻娐吩O(shè)計業(yè)為龍頭，繼續(xù)加大支持力度，完善相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策、法規(guī)的制定和落實，加快出臺《進(jìn)一步促進(jìn)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》，力爭出臺軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)條例，為集成電路設(shè)計業(yè)的發(fā)展提供良好的政策氛圍。 

　　“十一五”期間要大力推進(jìn)集成電路設(shè)計企業(yè)和整機應(yīng)用廠商之間的合作，推動新技術(shù)的廣泛應(yīng)用，以應(yīng)用促發(fā)  
展。加快建設(shè)企業(yè)為主體、社會各界參與的集成電路共性技術(shù)研發(fā)和公共服務(wù)平臺，促進(jìn)企業(yè)間聯(lián)合開發(fā)。充分發(fā)揮行業(yè)協(xié)會的橋梁紐帶作用，鼓勵企業(yè)成立各類技術(shù)合作機構(gòu)，共同推進(jìn)新技術(shù)研發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)的制定。 

　　重視專利和標(biāo)準(zhǔn)作用，努力提升專利數(shù)量和質(zhì)量，研發(fā)一批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心關(guān)鍵技術(shù)。將涉及國家經(jīng)濟和國防安全等重要領(lǐng)域的核心關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)納入到國家總體發(fā)展規(guī)劃。加快啟動國家科技和產(chǎn)業(yè)化重大專項，實現(xiàn)重點突破。 

　　堅持市場導(dǎo)向、企業(yè)運作、政府引導(dǎo)的原則，集中力量培育有核心競爭力的骨干企業(yè)。積極支持企業(yè)根據(jù)自身發(fā)展的要求，以市場為導(dǎo)向，以資本為紐帶，進(jìn)行跨行業(yè)、跨部門、跨地區(qū)、跨所有制的收購、兼并、重組，形成一批擁有著名品牌和自主知識產(chǎn)權(quán)、主業(yè)突出、核心技術(shù)開發(fā)水平較高、市場競爭力強的優(yōu)勢企業(yè)。 

　　積極發(fā)展集成電路制造業(yè) 

　　我國要想提高集成電路產(chǎn)業(yè)控制力，需要從產(chǎn)業(yè)模式上取得突破，積極發(fā)展集成器件制造模式，從制造入手，進(jìn)而向產(chǎn)業(yè)鏈兩端延伸，形成完整的集成電路制造體系。 

　　目前我國集成電路芯片制造業(yè)缺乏成熟的工藝制造技術(shù)。“十一五”期間，我們要積極開發(fā)90nm、60nm乃至45nm的高速、低功耗芯片和新型硅基集成電路的制造工藝技術(shù)，研究新型的光刻及離子注入技術(shù)，縮小技術(shù)差距。鼓勵12英寸高水平生產(chǎn)線建設(shè)；推動現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術(shù)升級，支持“909”工程升級改造，增強產(chǎn)業(yè)控制力。 

　　在“十一五”期間，要努力把握未來國內(nèi)外超大規(guī)模集成電路的發(fā)展趨勢，掌握標(biāo)準(zhǔn)工藝IP核的國內(nèi)外市場需求，加大對處理器、存儲器等關(guān)鍵IP核的開發(fā)，為我國超大規(guī)模集成電路IP核系列的開發(fā)探索有效途徑；啟動軟/硬件協(xié)同設(shè)計、IP復(fù)用和與SoC相關(guān)的新工藝、新器件及可*性領(lǐng)域中若干關(guān)鍵技術(shù)的預(yù)研；推動國家IP庫的建立，并做好后續(xù)的維護(hù)升級及專利保護(hù)工作。 

　　提升封裝測試能力 

　　大力發(fā)展BGA、CSP、MCP、MCM、MEMS等高密度封裝技術(shù)勢在必行，要著力提升我國封裝業(yè)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平。 

　　“十一五”期間，要加大研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化投入，提高和完善開發(fā)環(huán)境和手段，加快新型封裝材料的發(fā)展，逐步改變目前基本依賴進(jìn)口的局面。 

　　高密度集成電路封裝對測試技術(shù)提出了更加嚴(yán)格的要求。測試技術(shù)更多地固化在測試儀器內(nèi)?！笆晃濉逼陂g要重點推進(jìn)新型測試設(shè)備的研發(fā)，不斷提高測試效率和精度。 

　　增強關(guān)鍵設(shè)備和材料開發(fā)能力 

　　重點開發(fā)12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片，鍺硅外延片，SOI材料，寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，新型互連材料等材料；努力掌握6-8英寸集成電路設(shè)備的制造技術(shù)；力爭實現(xiàn)12英寸65納米激光步進(jìn)光刻機、大角度傾斜大劑量離子注入機、金屬氧化物化學(xué)氣相沉積設(shè)備，高密度等離子體刻蝕機、大尺寸擴散爐等重大關(guān)鍵裝備的產(chǎn)業(yè)化；加強企業(yè)和研發(fā)中心之間的合作。 

　　在6-8英寸用光刻機、刻蝕機、離子注入機、立式擴散爐、快速熱處理設(shè)備，氧化擴散設(shè)備、化學(xué)腐蝕設(shè)備、硅片清洗設(shè)備、劃片機、鍵合機、集成電路自動封裝系統(tǒng)等設(shè)備實用化的基礎(chǔ)上，提供批量供應(yīng)。對用量較大的光刻膠、清洗、刻蝕試劑化學(xué)拋光液等，力爭在“十一五”期間實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 

　　“十一五”期間，建立完善的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈是產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展的核心任務(wù)。全行業(yè)要以芯片設(shè)計為突破口，并以芯片制造作為重點，以關(guān)鍵設(shè)備和材料為基礎(chǔ)，積極發(fā)展集成電路封裝業(yè)，推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)調(diào)發(fā)展，盡快建立起植根于國內(nèi)、具有核心競爭能力的產(chǎn)業(yè)體系。