IDT推出最新先進存儲器緩沖器(AMB) 樣品

通信集成電路供應(yīng)商IDT公司（Integrated Device Technology, Inc）今天宣布推出最新先進存儲器緩沖器(AMB) 樣品，服務(wù)于多種全緩沖雙插線存儲器模塊（FB-DIMM）的生產(chǎn)商。這個新產(chǎn)品完全兼容JEDEC的AMB標(biāo)準(zhǔn)，是下一代高帶寬應(yīng)用產(chǎn)品的必備技術(shù)，比如服務(wù)器和工作站，這些設(shè)備都要求更高的性能和大型的存儲容量。

FB-DIMM信道架構(gòu)的一個關(guān)鍵功能就是在信道中的存儲控制器和模塊之間實現(xiàn)高速度、串行、點對點的連接。每個FB-DIMM上的AMB芯片負(fù)責(zé)收集和分配來自DIMM 的數(shù)據(jù)，在芯片上進行內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖，并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至下一個DIMM或者存儲控制器。這種獨特的信道結(jié)構(gòu)減少了在帶寄存器的DIMM技術(shù)中很常見的緩沖時延問題，能夠使設(shè)計人員在單一的系統(tǒng)中應(yīng)用大量的DIMM。

IDT DIMM 支持產(chǎn)品組營銷總監(jiān)Tom Kao表示：“IDT延續(xù)了在DIMM市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位和鄭重承諾。此次我們推出的AMB產(chǎn)品，證明了我們在新興的FB-DIMM標(biāo)準(zhǔn)下實現(xiàn)服務(wù)器處理功能新進展的強烈愿望。我們很高興能夠在業(yè)界廠商中領(lǐng)先推出AMB產(chǎn)品的樣品，我們期待著幫助客戶解決關(guān)于DIMM不斷出現(xiàn)的重大挑戰(zhàn)?！?/p>

英特爾公司的企業(yè)平臺部計劃營銷總監(jiān)Jim Pappas表示：“FB-DIMM提供了卓越的機會，同步增強服務(wù)器和工作站的速度和存儲能力，從而提高其數(shù)據(jù)處理能力。FB-DIMM具有真正的潛力，將成為2006年乃至以后相當(dāng)重要的新型服務(wù)器和工作站技術(shù)。包括IDT在內(nèi)的很多公司正在推出基于FB-DIMM的產(chǎn)品，協(xié)助客戶實現(xiàn)創(chuàng)新型和高性能的存儲技術(shù)帶來的益處?！?/p>

產(chǎn)品供應(yīng)
IDT AMB 產(chǎn)品現(xiàn)在可以提供樣品，2005年上半年可以批量生產(chǎn)。