飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級同步整流開關電源設計提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 級別的產(chǎn)品低38％。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性，其品質(zhì)因數(shù)Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120， 比最接近的競爭產(chǎn)品低33％ 之多。FDS3572還具有最佳的總門電荷 (在VGS = 10 V為31 nC)，有助降低損秏；低QRR (70 nC)，可降低反向恢復損耗；以及高雪崩性能 (EAS = 515 mJ)，以提高耐用性能。這些產(chǎn)品特性再配合小體積的封裝，使得FDS3572成為今日要求嚴格的電源設計的理想選擇。

FDS3572開關特別適用于預穩(wěn)壓的高密度隔離全橋或半橋DC/DC轉(zhuǎn)換器電路應用，也是初級應用的理想器件，包括低壓電信電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)通信電源、服務器及采用最新總線轉(zhuǎn)換器拓撲且支持中間母線結(jié)構(gòu) (IBA) 的調(diào)壓模塊 (VRM)。在這些應用中，頻率通常高達250 KHz，而FDS3572極低的Miller電荷可實現(xiàn)快速切換，從而減少動態(tài)損耗；至于其超低門電荷則可通過減少驅(qū)動器/PWM控制IC的功耗來提高系統(tǒng)效率。

這種先進的器件還可用于同步整流器，以替代DC/DC轉(zhuǎn)換器次邊的傳統(tǒng)高壓Schottky整流器，輸出電壓為5V至52V。典型的產(chǎn)品應用包括網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)通信DC/DC轉(zhuǎn)換器及筆記本電腦的外部AC/DC適配器。FDS3572的低RDS(on) 特性可將傳導損耗控制在允許范圍內(nèi)，并提高筆記本電腦AC/DC適配器的功率密度。功率密度的增強非常重要，因為隨著更多多媒體功能集成于便攜產(chǎn)品平臺上，處理器的功率需求將越來越高。同步整流應用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封裝。

飛兆半導體技術市務經(jīng)理David Grey稱：“現(xiàn)今的DC/DC轉(zhuǎn)換器設計者總想在預定的散熱限制范圍內(nèi)，在越來越小的空間中盡量提高功率。FDS3572便可滿足他們對效率、性能及小尺寸封裝的要求，并且能實現(xiàn)極佳的裸片至封裝的利用率。”

FDS3572的推出是飛兆半導體落實其業(yè)務承諾的又一例證，提供能滿足現(xiàn)今市場趨勢和需求的產(chǎn)品。飛兆半導體針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應用的其它產(chǎn)品還包括光隔離放大器(FOD27XX系列)、快速恢復二極管及PWM控制器等。而這種無鉛產(chǎn)品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標準要求，并符合將于2005年生效的歐盟標準。

價格:  FDS3572器件每個1.18美元 (訂購1,000個)
供貨:  現(xiàn)貨
交貨期: 收到訂單后8周內(nèi)