惠瑞捷增加并行機制以縮減存儲器測試開發(fā)時間

　　惠瑞捷半導(dǎo)體科技宣布將可編程接口矩陣應(yīng)用于Verigy V5000e 工程工作站，以幫助存儲器制造商在應(yīng)用V5000e進行工程，測試開發(fā)和調(diào)試時獲得并行測試能力。憑借該矩陣，V5000e 可以并行測試12顆芯片（DUT），減少產(chǎn)線上的操作人員的時間，同時大幅度提高了總產(chǎn)能。此矩陣還將V5000e的引腳數(shù)量從128提高到768個測試器資源引腳，從而能夠測量具有更高引腳數(shù)量的多種類型存儲器芯片，包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。

　　由于產(chǎn)品壽命周期不斷縮短，制造商需要將測試開發(fā)時間降至最低。同時，各種存儲器芯片在測試平臺上有了更多的融合。為了應(yīng)對測試所有這些類型芯片所面臨的挑戰(zhàn)，制造商需要面向工程開發(fā)的測試系統(tǒng)具有并行能力和靈活性。然而，在工程開發(fā)的環(huán)境下，如果使用成熟的面向大規(guī)模生產(chǎn)的測試系統(tǒng)既不能節(jié)省成本，通常也不符合實際。配備了矩陣的V5000e 就可以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，降低測試開發(fā)時間。

　　此矩陣最初的設(shè)計目的是為了在最終產(chǎn)品測試階段降低測試成本，到目前為止，此矩陣僅配備在Verigy V5500 最終測試系統(tǒng)上。惠瑞捷開發(fā)出應(yīng)用于V5000e的新版本  
的矩陣，以滿足在測試開發(fā)設(shè)置方面對強大且靈活的解決方案日益增長的需求，這些解決方案可以處理多種存儲器類型，包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。 

　　V5000e于2005年開始供貨，作為領(lǐng)先的工程工作站，用于測試所有的存儲器類型，它具備可升級的平臺構(gòu)架，擁有辦公環(huán)境設(shè)計，以及工程開發(fā)所必需的強大功能和靈活性。 

　　先進特性——擁有最大的投資回報和更低的測試成本

　　憑借該矩陣，V5000e提供給用戶可擴展的功能和性能，現(xiàn)已可并行測試12顆芯片(DUT)。此矩陣在 V5000e 測試系統(tǒng)的基礎(chǔ)上將引腳數(shù)量由128個輸入/輸出引腳增加到768個測試器資源引腳，能夠完成具有更高引腳數(shù)量存儲器的測試。它所提供的靈活性將與V5000e一起共同滿足當前以及新興的測試系統(tǒng)需求。

　　此矩陣允許測試儀器在引腳間自動轉(zhuǎn)換資源，而無需手動重新插入，這樣既縮短了總體測試時間，也降低了必要的手動干預(yù)次數(shù)。當測試MCP設(shè)備時該特性尤為重要，因為在串行測試的時候，測試資源可以在MCP中不同元件之間自動轉(zhuǎn)移，而無需手動重新插入。對于需要花費很久時間的寫入和擦除二項測試項目，測試系統(tǒng)資源可以自動并行測試，然后轉(zhuǎn)換回串行模式讀取測試。

　　此矩陣支持用戶在極熱和極冷的環(huán)境測試艙中擴展其測試可用性。