TI推出用于驅(qū)動(dòng)高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器全差動(dòng)放大器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最低噪聲、最低失真度的全差動(dòng)放大器,其性能可滿足高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 頻率高達(dá) 100 MHz。1.9 GHz THS4509 的建立時(shí)間比業(yè)界領(lǐng)先的上代全差動(dòng)放大器縮短了三分之一,適用于測量測試、醫(yī)學(xué)成像、無線設(shè)施以及工業(yè)等要求極其苛刻的應(yīng)用領(lǐng)域。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/4464.htmTHS4509 充分利用了 TI 獨(dú)特的高速 BiCom-III 互補(bǔ)雙極硅鍺 (SiGe) 工藝,能夠提供無可匹敵的輸入性能,其電壓噪聲僅為 2.0 nV/rtHz;當(dāng)頻率為 70 MHz 時(shí),其二階與三階諧波失真分別為 -80 dBc 與 -87 dBc(2 Vpp 輸入 200Ω 負(fù)載);當(dāng)輸出為 2 V 時(shí),1% 的建立時(shí)間僅為 2 納秒。當(dāng)THS4509 以 125 MSP的速率以及 70 MHz 的輸入頻率驅(qū)動(dòng)14 位的ADS5500 ADC時(shí),THS4509和ADS5500均可獲得前所未有的性能。單調(diào)無雜散動(dòng)態(tài)范圍 (SFDR) 為 81 dBc, 間隔為 5-MHz 的 雙調(diào)SFDR 為 89 dBc,信噪比 (SNR) 為 70.1 dBFS。
BiCom-III 是業(yè)界唯一的 SiGe 工藝,集成了互補(bǔ) NPN 與 PNP 雙極晶體管,從而可制造出集高速度、低噪聲、低電壓以及更大動(dòng)態(tài)范圍等優(yōu)異特性于一體的高性能模擬與混合信號(hào)產(chǎn)品。這使設(shè)計(jì)人員無需要求復(fù)雜的補(bǔ)償電路或耗費(fèi)大量電流即可獲得最佳的高速性能。
TI 負(fù)責(zé)高性能線性業(yè)務(wù)的副總裁 Art George 說:“設(shè)計(jì)人員要求一款與 ADC 性能相同的放大器,以便充分發(fā)揮其高速系統(tǒng)的全部潛能。借助 THS4509,客戶能夠在最高性能與易用性兩方面實(shí)現(xiàn)雙贏。”
THS4509 的架構(gòu)消除了增益、輸出共模電壓與輸出阻抗匹配等之間的關(guān)聯(lián)問題,從而使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)ζ漭p松進(jìn)行獨(dú)立設(shè)置。此外,該器件還可執(zhí)行從單端輸入到差動(dòng)輸出的轉(zhuǎn)換,以支持直流耦合數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。這些特性連同噪聲與失真性能一起,使設(shè)計(jì)人員在極大地簡化設(shè)計(jì)程序并縮小解決方案的整體尺寸的同時(shí),還能確保對(duì)一般信號(hào)的準(zhǔn)確測量與極高的信號(hào)保真度。
另外THS4509的性能還包括:大信號(hào)帶寬 (2 Vpp) 為 1.5 GHz、小信號(hào)帶寬為 1.9 GHz (<1 Vpp)、壓擺率為 6600 V/us,以及關(guān)斷模式下的電流僅為 0.65 mA。
THS4509 還非常適用于驅(qū)動(dòng)其它的高性能 ADC,包括新型的14 位、105 MSPS ADS5424 ADC。THS4509 是 TI 領(lǐng)先高速放大器產(chǎn)品系列(如 OPA695 1.4 GHz 電流反饋與 THS4304 3 GHz 電壓反饋運(yùn)算放大器)的成員之一,設(shè)計(jì)用于為最新的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器提供驅(qū)動(dòng)力,使它們實(shí)現(xiàn)最佳性能。
TI 的高速放大器與 ADC,連同公司的 RF、數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器及高性能 TMS320C6000TM DSP 產(chǎn)品一起,能夠?yàn)閷拵?yīng)用提供名符其實(shí)的業(yè)界最佳信號(hào)鏈。
領(lǐng)先的高性能模擬處理工藝
除了能夠提供令人矚目的模擬系列產(chǎn)品之外,TI 還是支持模擬與混合信號(hào)產(chǎn)品的領(lǐng)先半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)商。TI 針對(duì)需要集成數(shù)字邏輯的應(yīng)用充分利用了成熟的低成本互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 邏輯技術(shù),對(duì)其優(yōu)化后可支持模擬組件。為了實(shí)現(xiàn)更專業(yè)的模擬功能,TI 產(chǎn)品開發(fā)小組通過利用各種硅鍺 (SiGe) 雙極、絕緣硅 (SOI) 以及 CMOS 工藝技術(shù)在精度、速率與功率方面不斷精益求精。
供貨與價(jià)格
THS4509的樣片現(xiàn)已面市,預(yù)計(jì)將于 2005 年第一季度投入量產(chǎn)。該器件采用 16 引腳無鉛四方扁平 (QFN) 封裝,批量為 1,000 件時(shí),單價(jià)最低為 3.75 美元。目前已開始提供評(píng)估板 (EVM)。
評(píng)論