NS推出首款信號完整性的LVDS緩沖器
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美國國家半導體的 DS25BR100、DS25BR110 及 DS25BR120 都是單通道的 LVDS 緩沖器,即使傳輸速度高達 3.125Gbps,仍可確保信號完整無缺。這三款芯片具有業(yè)界最低的 9ps 抖動 (典型值),而且功率只有 100mW,也屬于業(yè)界最低的水平。美國國家半導體這幾款 LVDS 緩沖器能以極高速度驅動 FR-4 底板及電纜上的信號,最適用
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這幾款 LVDS 緩沖器可以提供 7kV 的靜電釋放保護與信號緩沖,適用於新一代的 90nm、65nm 現場可編程門陣列 (FPGA) 以及專用集成電路 (ASIC)。
主要技術規(guī)格及特色
這幾款 3.125Gbps 的 DS25BR1xx 芯片都采用 8 引腳的 LLP? 封裝,并設有全差分信號路徑,可確保信號完整無缺,又可大大加強信號路徑的抗噪聲干擾能力。DS25BR100 芯片設有兩級的傳送預加重及接收均衡功能,因此是中繼器的理想之選。DS25BR120 芯片設有四級的預加重,因此是最理想的高性能驅動器,而 DS25BR110 芯片則設有四級的均衡功能,最適宜用作高性能接收器。
LLP 封裝體積小巧,大小只有 3mm x 3mm,不但可以節(jié)省電路板板面空間,而且其中的流通式引腳圖可以將芯片的內部抖動減至最少,使電路板的設計工作變得更為容易。這幾款緩沖器都可支持 LVDS、CML 及 LVPECL 輸入,而輸出則全面符合 LVDS 標準。差分輸入及輸出端都內置 100-Ohm 的電阻,以便降低芯片輸入及輸出的回波損耗,減少元件數目,以及進一步將電路板板面縮至最小。
如欲進一步查詢有關 3.125Gbps 的 LVDS DS25BR1xx 緩沖器系列的資料或訂購樣品及評估電路板,可瀏覽 http://www.national.com/pf/DS/DS25BR100.html 、 http://www.national.com/pf/DS/DS25BR110.html 及 http://www.national.com/pf/DS/DS25BR120.html 等網頁。如欲進一步查詢有關美國國家半導體接口產品的資料,可瀏覽 http://www.national.com/CHS/appinfo/interface/ 網頁。
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