Siliconix與ST達(dá)成雙面冷卻型MOSFET封裝技術(shù)許可協(xié)議

    2005年3月10日意法半導(dǎo)體與Siliconix宣布達(dá)成一項(xiàng)許可協(xié)議，Siliconix將向ST提供最新的功率MOSFET封裝技術(shù)的許可使用權(quán)，這項(xiàng)技術(shù)使用強(qiáng)制性空氣冷卻方法，系統(tǒng)頂端與底部設(shè)有散熱通道，從而使封裝具有更加優(yōu)異的散熱性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司（紐約證券交易所：VSH）持有80.4%股權(quán)的子公司。
    Siliconix提供給ST的新封裝命名為PolarPAK™，這種封裝的引線架與塑料封裝類(lèi)似于大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET封裝，能夠良好地保護(hù)裸片，而且在制造過(guò)程中也很容易管理。與標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝相比，PolarPAK封裝的散熱效率更高，在占板尺寸相同時(shí)，處理電流的能力比標(biāo)準(zhǔn)封裝提高一倍。
    “隨著DC/DC轉(zhuǎn)換器體積不斷縮小， PCB上各種組件的散熱問(wèn)題已經(jīng)成為設(shè)計(jì)人員必須解決的一個(gè)挑戰(zhàn)，” ST功率MOSFET部門(mén)經(jīng)理Ian Wilson表示，“封裝技術(shù)的進(jìn)步必須與硅片技術(shù)的改良同步。PolarPAK封裝技術(shù)擁有極佳的熱處理能力，代表了封裝技術(shù)一個(gè)巨大進(jìn)步，讓設(shè)計(jì)人員可以提高效率與功率密度。這種封裝技術(shù)將會(huì)進(jìn)一步提升ST針對(duì)計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)傳輸與電信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換開(kāi)發(fā)的STripFETTM MOSFET系列產(chǎn)品的性能?！?
    意法半導(dǎo)體公司副總裁兼微控制器、線性產(chǎn)品及分立器件部總經(jīng)理Carmelo Papa表示：“新封裝是實(shí)現(xiàn)成本效益型解決方案的必要技術(shù)，通過(guò)與Siliconix公司合作，我們將能夠提高這個(gè)新封裝的市場(chǎng)接受度。我們?nèi)σ愿伴_(kāi)拓電信和計(jì)算機(jī)市場(chǎng)，ST期望通過(guò)不斷創(chuàng)新成為這兩個(gè)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。” 
    Vishay公司董事長(zhǎng)兼技術(shù)及商業(yè)開(kāi)發(fā)部總監(jiān)Felix Zandman博士和公司總裁兼首席執(zhí)行官Gerald Paul博士均表示：“Siliconix的功率MOSFET創(chuàng)新產(chǎn)品包括業(yè)內(nèi)第一個(gè)溝道MOSFET和功率性能及熱密度最大化的各種封裝，這些技術(shù)的眾多創(chuàng)新成果使Siliconix 和 Vishay成為業(yè)內(nèi)的領(lǐng)導(dǎo)者，PolarPAK是Siliconix的最新開(kāi)發(fā)成果，與ST簽署合作協(xié)議對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一個(gè)令人驕傲的時(shí)刻?！?
    “通過(guò)與ST簽署這項(xiàng)許可協(xié)議，我們朝著推動(dòng)PolarPAK成為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)的目標(biāo)邁進(jìn)了一大步，該技術(shù)能為客戶提供多源解決方案的設(shè)計(jì)靈活性”， Siliconix總裁兼首席執(zhí)行官King Owyang博士表示，“我們很高興像ST這樣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)廠商能夠認(rèn)識(shí)到PolarPAK為各種功率MOSFET應(yīng)用帶來(lái)的效益?！?nbsp;
    PolarPAK具有優(yōu)異的散熱性能，封裝功耗極低，大小僅為5mm