Siliconix與ST達成雙面冷卻型MOSFET封裝技術許可協(xié)議

    2005年3月10日意法半導體與Siliconix宣布達成一項許可協(xié)議，Siliconix將向ST提供最新的功率MOSFET封裝技術的許可使用權，這項技術使用強制性空氣冷卻方法，系統(tǒng)頂端與底部設有散熱通道，從而使封裝具有更加優(yōu)異的散熱性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司（紐約證券交易所：VSH）持有80.4%股權的子公司。
    Siliconix提供給ST的新封裝命名為PolarPAK™，這種封裝的引線架與塑料封裝類似于大多數標準功率MOSFET封裝，能夠良好地保護裸片，而且在制造過程中也很容易管理。與標準SO-8封裝相比，PolarPAK封裝的散熱效率更高，在占板尺寸相同時，處理電流的能力比標準封裝提高一倍。
    “隨著DC/DC轉換器體積不斷縮小， PCB上各種組件的散熱問題已經成為設計人員必須解決的一個挑戰(zhàn)，” ST功率MOSFET部門經理Ian Wilson表示，“封裝技術的進步必須與硅片技術的改良同步。PolarPAK封裝技術擁有極佳的熱處理能力，代表了封裝技術一個巨大進步，讓設計人員可以提高效率與功率密度。這種封裝技術將會進一步提升ST針對計算機、數據傳輸與電信應用的功率轉換開發(fā)的STripFETTM MOSFET系列產品的性能?！?
    意法半導體公司副總裁兼微控制器、線性產品及分立器件部總經理Carmelo Papa表示：“新封裝是實現(xiàn)成本效益型解決方案的必要技術，通過與Siliconix公司合作，我們將能夠提高這個新封裝的市場接受度。我們全力以赴開拓電信和計算機市場，ST期望通過不斷創(chuàng)新成為這兩個市場的領導者?！?nbsp;
    Vishay公司董事長兼技術及商業(yè)開發(fā)部總監(jiān)Felix Zandman博士和公司總裁兼首席執(zhí)行官Gerald Paul博士均表示：“Siliconix的功率MOSFET創(chuàng)新產品包括業(yè)內第一個溝道MOSFET和功率性能及熱密度最大化的各種封裝，這些技術的眾多創(chuàng)新成果使Siliconix 和 Vishay成為業(yè)內的領導者，PolarPAK是Siliconix的最新開發(fā)成果，與ST簽署合作協(xié)議對于我們來說是一個令人驕傲的時刻?！?
    “通過與ST簽署這項許可協(xié)議，我們朝著推動PolarPAK成為業(yè)界標準封裝技術的目標邁進了一大步，該技術能為客戶提供多源解決方案的設計靈活性”， Siliconix總裁兼首席執(zhí)行官King Owyang博士表示，“我們很高興像ST這樣的半導體產業(yè)主導廠商能夠認識到PolarPAK為各種功率MOSFET應用帶來的效益?！?nbsp;
    PolarPAK具有優(yōu)異的散熱性能，封裝功耗極低，大小僅為5mm