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          DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底,NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

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          作者: 時(shí)間:2007-05-04 來源:EEPW 收藏
          據(jù)Dramexchange消息,4月下半月的合約價(jià)格下跌到了20美元左右,這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季,PC廠商將增加庫(kù)存,預(yù)計(jì)需求將隨之增長(zhǎng)。因此,價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑,已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移,以及提高1GB芯片的出貨量,將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。

          由于需求仍然疲軟,現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近,DDR2 eTT跌到了2.05美元左右。由于PC OEM廠商處理多余庫(kù)存,合約市場(chǎng)的價(jià)格也在下跌。DDR2 667MHz 512MB的合約價(jià)格大致持穩(wěn)于20美元,甚至更低的水平。

          目前DRAM合約價(jià)格的下降幅度大于當(dāng)初預(yù)期,主要是因?yàn)镻C市場(chǎng)處于需求淡季,以及供需嚴(yán)重失衡。DRAM廠商的月產(chǎn)能不斷上升,迫使它們以極低的價(jià)格出售。幸運(yùn)的是,由于PC廠商的庫(kù)存水平目前較低,以及季末公布財(cái)報(bào)的活動(dòng)接近尾聲,DRAM需求可能開始回升。另外再加上2007年下半年P(guān)C市場(chǎng)旺季即將來臨,DRAM價(jià)格可能即將反彈。



          資料來源:Dramexchange,2007年4月

          面對(duì)價(jià)格持續(xù)下跌的局面,廠商正在竭力進(jìn)一步削減成本。例如,美光最近宣布,利用78納米工藝成功地開發(fā)出了1.5V DDR2芯片。這樣低的電壓,可以節(jié)省大約24%的功耗。由于美光成本不占優(yōu)勢(shì)的8英寸工藝占了很大比例,它正在推出特殊規(guī)格的芯片,以避開商品類DRAM市場(chǎng)中激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。三星和海力士半導(dǎo)體,則已開始利用68和66納米工藝試生產(chǎn),同時(shí)提高2007年下半年1GB芯片的出貨比例。另一方面,臺(tái)灣廠商則在繼續(xù)提高12英寸工廠的產(chǎn)能。無需多言,隨著產(chǎn)能快速上升,DRAM廠商引入的成本下降機(jī)制將在其未來的競(jìng)爭(zhēng)中發(fā)揮重要作用。

          閃存供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置存儲(chǔ)產(chǎn)品

          目前,約有三分之二的閃存產(chǎn)能被用于存儲(chǔ)卡和USB驅(qū)動(dòng)器。同時(shí),另外三分之一則被分配給了內(nèi)置存儲(chǔ)產(chǎn)品,或者使用標(biāo)準(zhǔn)的閃存,或者使用集成式閃存。例如,三星在3月推出了GB moviNAND,由四個(gè)采用50納米工藝生產(chǎn)的16Gb芯片組成。據(jù)三星高管,這種產(chǎn)品將在2007年第二季度結(jié)束前投入量產(chǎn)。

          東芝在其網(wǎng)站上發(fā)布了一款16GB嵌入式閃存,采用56納米工藝制造,由8個(gè)16Gb芯片組成。東芝將在6月向客戶提供樣品進(jìn)行評(píng)測(cè),計(jì)劃7月量產(chǎn)。

          SanDisk也在2007年2月展示了iNAND產(chǎn)品,密度從256MB到4GB,將主要面向采用微驅(qū)動(dòng)器的移動(dòng)通訊產(chǎn)品。

          隨著NAND閃存生產(chǎn)向更高級(jí)的工藝過渡,相關(guān)成本進(jìn)一步下降,移動(dòng)通訊產(chǎn)品生產(chǎn)商開始日益青睞嵌入式閃存。計(jì)劃在6月發(fā)布的Apple iPhone,將包括4GB或8GB款式,預(yù)計(jì)將推動(dòng)更多的廠商采用內(nèi)置式閃存作為存儲(chǔ)解決方案。這些動(dòng)態(tài)也在使集成式閃存越來越受歡迎。



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