美國(guó)美光科技：NAND閃存的未來在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國(guó)美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(huì)（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（Director of Application Engineering）Jim Cooke登臺(tái)做了演講。 

Jim Cooke首先就市場(chǎng)走向提到了大容量存儲(chǔ)器領(lǐng)域閃存的優(yōu)勢(shì)，他介紹說，閃存在“性能、可靠性、耐久性、耗電、尺寸、重量、耐沖擊性、溫度方面均超過硬盤”，不如硬盤的方面是容量和單位容量所對(duì)應(yīng)的成本。目前閃存的使用方法有緩存（Cache）中使用了閃存的硬盤“混合（Hybrid）型”和全部由閃存構(gòu)成的大容量光盤（Disk）“SSD（固態(tài)存儲(chǔ)，Solid State Disk）”兩種，預(yù)計(jì)混合型將首先開始普及，但2010年時(shí)SSD將趕上并超過混合型 
。Jim Cooke表示，根據(jù)美國(guó)IDC公司的預(yù)測(cè)，SSD單位容量所對(duì)應(yīng)的成本“2010年時(shí)將壓縮至0.85～1.8英寸硬盤的1倍、2.5英寸硬盤的5.6倍。目前分別為5.3倍、8.8倍，到那時(shí)，二者的差將比現(xiàn)在小得多”。 

技術(shù)方面，Jim Cooke表示“2片型將是今后的趨勢(shì)”。將分為偶數(shù)片與奇數(shù)片兩個(gè)塊、使它可同時(shí)讀取兩個(gè)片以提高訪問速度。目前每單元2值的SLC（單層單元）技術(shù)、每單元4值的MLC（多層單元）技術(shù)均被采用使用。Jim Cooke表示，對(duì)MLC而言，從耐久性的觀點(diǎn)出發(fā)依次改變寫入單元的“損耗平衡（Wear Leveling）”是必需的，而一開始就從芯片方面支持它的Managed NAND是很重要的。具體而言，“eMMC（嵌入式多媒體卡，embedded Multimedia Card）”等實(shí)際上確定了接口等。 

Jim Cooke最后總結(jié)表示，NAND型閃存的主要市場(chǎng)為手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備以及SSD。事實(shí)上，在WinHEC的展出會(huì)場(chǎng)上，除美光公司外，美國(guó)SanDisk Corp.與韓國(guó)三星電子（Samsung Electronics Co., Ltd.）等也展出了SSD，讓人不禁感受到閃存廠商的雄心。 

另一方面，美國(guó)微軟公司（Microsoft Corp.）也舉辦了題為“Solid-State Drives：Next-Generation Storage”的技術(shù)研討會(huì)。微軟強(qiáng)調(diào)，Windows一直在關(guān)注存儲(chǔ)器是否為SSD，與存儲(chǔ)器是硬盤的情況下，刪除數(shù)據(jù)時(shí)將出現(xiàn)一個(gè)刪除標(biāo)記相對(duì)，當(dāng)存儲(chǔ)器為SSD時(shí)，為了防止擦寫，將進(jìn)行真正刪掉數(shù)據(jù)等處理、執(zhí)行與SSD相應(yīng)的動(dòng)作。另外作為將來硬盤與閃存的組合，提出了“復(fù)合SSD（Composite SSD）”的構(gòu)想。不是把閃存用作緩存，而是在擦寫頻繁的地方用硬盤、保存時(shí)間長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃存里。比如，為了將閃存用于服務(wù)器等大規(guī)模存儲(chǔ)器，提出了復(fù)合SSD是有效的這一見解。