英特爾:芯片制造主流工藝明年Q3邁向65nm
英特爾的第一款65納米芯片將是代號(hào)為“Yonah”的處理器?!癥onah”是英特爾下一代奔騰M處理器,將與代號(hào)為“Napa”的第三代迅馳平臺(tái)一起推出?!癥onah”在目前的“Dothan”奔騰M處理器的基礎(chǔ)上做了很多改進(jìn),包括使用667MHz前端總線和支持SSE 3技術(shù)。
在“Yonah”芯片推出之后,英特爾將很快發(fā)布代號(hào)為“Presler”和“Cedarmill”的雙內(nèi)核和單內(nèi)核的65納米奔騰D芯片。這種奔騰D芯片將取代將于下個(gè)季度推出的90納米的“Smithfield”芯片。英特爾還將推出單內(nèi)核的“Yonah”芯片。
英特爾表示,代號(hào)為“Dempsey”的65納米雙內(nèi)核Xeon芯片將在2006年第一季度推出。
英特爾顯然正在積極所有的65納米芯片。雖然65納米工藝的成本率到目前為止還沒有90納米工藝的成品率高,但是,英特爾表示,在2006年第一季度開始大批量生產(chǎn)的時(shí)候,成品率將會(huì)達(dá)到“世界級(jí)”水平。英特爾高級(jí)副總裁兼技術(shù)和生產(chǎn)事業(yè)部總經(jīng)理Robert J. Baker表示,英特爾在俄勒岡州的D1D和D1C工廠、在亞利桑那州的12C工廠以及在愛爾蘭的24E將用于生產(chǎn)65納米芯片。
英特爾還披露稱,到今年年底,移動(dòng)芯片占其芯片總產(chǎn)量的比例將從目前的31%提高到36%。
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