瑞薩05財年營業(yè)利潤預(yù)計減少6成

    日本瑞薩科技日前公布了2004財年（2004年4月～2005年3月）聯(lián)合結(jié)算報告概要。銷售額為1.0024萬億日元（比財年增長2%），營業(yè)利潤達510億日元（同比增長14%），稅前利潤為324億日元（同比增長218%），純利潤為199億日元（同比增長131%）。雖說實現(xiàn)了增收增益，但未達到財年初期預(yù)測的數(shù)值（預(yù)測銷售額為1.09萬億日元，營業(yè)利潤為600億日元）。由于該公司沒有上市，因此依據(jù)上市企業(yè)會計標準進行核算的詳細業(yè)績沒有公布。 


1Gbit閃存推遲半年才投入量產(chǎn) 


　　盡管包括公司主力產(chǎn)品微控制器在內(nèi)的“通用產(chǎn)品業(yè)務(wù)”實現(xiàn)了盈利，但負責(zé)專用產(chǎn)品的“系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)”和“內(nèi)存業(yè)務(wù)”則出現(xiàn)了虧損。用于手機的液晶驅(qū)動IC和應(yīng)用處理器，向高附加值產(chǎn)品的過渡并不順利，未達到公司當初的預(yù)期。據(jù)稱在本財年下半期，有多家客戶取消了預(yù)定單。 


　　閃存EEPROM業(yè)務(wù)也存在著一定的問題，“由于采用AG-AND方式的1Gbit產(chǎn)品的成品率低于當初的預(yù)期，被迫推遲半年后才投入量產(chǎn)”（瑞薩科技社長兼首席執(zhí)行官伊藤 達）。因此，該產(chǎn)品的出貨量低于當初的預(yù)測。而單價卻“在2004財年里下跌了一半左右”（伊藤）。 


　　該公司表示，這些導(dǎo)致公司業(yè)績變壞的因素在2005財年里基本仍將持續(xù)下去。“此前我們預(yù)測半導(dǎo)體市場將在2006財年開始出現(xiàn)下降趨勢?，F(xiàn)在看來提前了一年。眼下的形勢非常嚴峻”（伊藤）。盡管削減生產(chǎn)成本的努力仍將繼續(xù)，但2005財年的聯(lián)合業(yè)績預(yù)計將會減收減益。銷售額和營業(yè)利潤預(yù)計分別為9700億日元（比上財年減少3%）和200億日元（同比減少61%）。 


90nm工藝閃存05下半財年投入量產(chǎn) 


　　在按金額計算占據(jù)全球市場份額2成多的微控制器方面，將通過增加配備閃存EEPROM的高附加值產(chǎn)品的銷售，維持穩(wěn)定的收益。與此同時，“由于2005財年韓國與歐洲將穩(wěn)步推進手機液晶面板由STN方式向TFT方式的過渡”（伊藤），所以江爭取進一步擴大液晶驅(qū)動IC的業(yè)務(wù)規(guī)模。在閃存EEPROM方面，計劃2005財年下半期投產(chǎn)4Gbit產(chǎn)品?！白鳛锳G-AND方式的首個產(chǎn)品，盡管1Gbit產(chǎn)品在量產(chǎn)之初遭遇了一些困難，但我想可以吸取其中的經(jīng)驗，使4Gbit產(chǎn)品順利地量產(chǎn)”（伊藤）。 


　　2005財年的設(shè)備投資約為800億日元。其中約300億日元將用于加強采用300mm晶圓的半導(dǎo)體生產(chǎn)體制。該公司在那珂第二工廠的“N3廠房”，正在使用300mm晶圓量產(chǎn)半導(dǎo)體。目前已經(jīng)將N3廠房的二層樓房（1萬2000m3）擴充成130nm工藝閃存EEPROM和SoC（系統(tǒng)級芯片）的生產(chǎn)車間。通過對N3廠房的追加投資，在空閑的一層樓房（1萬2000m3）里安裝生產(chǎn)設(shè)備。另外，2005財年下半期還將投產(chǎn)90nm工藝閃存EEPROM。這樣一來， N3廠房300mm晶圓的處理能力將提高至每月1萬4000枚。按計劃，2006財年上半期將在SoC中采用90nm工藝，2006年下半期將在閃存EEPROM中開始65nm工藝的量產(chǎn)。