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          瑞薩05財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)減少6成

          作者: 時(shí)間:2005-05-16 來(lái)源: 收藏
              日本科技日前公布了2004財(cái)年(2004年4月~2005年3月)聯(lián)合結(jié)算報(bào)告概要。銷售額為1.0024萬(wàn)億日元(比財(cái)年增長(zhǎng)2%),營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)510億日元(同比增長(zhǎng)14%),稅前利潤(rùn)為324億日元(同比增長(zhǎng)218%),純利潤(rùn)為199億日元(同比增長(zhǎng)131%)。雖說(shuō)實(shí)現(xiàn)了增收增益,但未達(dá)到財(cái)年初期預(yù)測(cè)的數(shù)值(預(yù)測(cè)銷售額為1.09萬(wàn)億日元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為600億日元)。由于該公司沒(méi)有上市,因此依據(jù)上市企業(yè)會(huì)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行核算的詳細(xì)業(yè)績(jī)沒(méi)有公布。 


          1Gbit閃存推遲半年才投入量產(chǎn) 


            盡管包括公司主力產(chǎn)品微控制器在內(nèi)的“通用產(chǎn)品業(yè)務(wù)”實(shí)現(xiàn)了盈利,但負(fù)責(zé)專用產(chǎn)品的“系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)”和“內(nèi)存業(yè)務(wù)”則出現(xiàn)了虧損。用于手機(jī)的液晶驅(qū)動(dòng)IC和應(yīng)用處理器,向高附加值產(chǎn)品的過(guò)渡并不順利,未達(dá)到公司當(dāng)初的預(yù)期。據(jù)稱在本財(cái)年下半期,有多家客戶取消了預(yù)定單。 


            閃存EEPROM業(yè)務(wù)也存在著一定的問(wèn)題,“由于采用AG-AND方式的1Gbit產(chǎn)品的成品率低于當(dāng)初的預(yù)期,被迫推遲半年后才投入量產(chǎn)”(科技社長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官伊藤 達(dá))。因此,該產(chǎn)品的出貨量低于當(dāng)初的預(yù)測(cè)。而單價(jià)卻“在2004財(cái)年里下跌了一半左右”(伊藤)。 


            該公司表示,這些導(dǎo)致公司業(yè)績(jī)變壞的因素在2005財(cái)年里基本仍將持續(xù)下去?!按饲拔覀冾A(yù)測(cè)半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2006財(cái)年開(kāi)始出現(xiàn)下降趨勢(shì)。現(xiàn)在看來(lái)提前了一年。眼下的形勢(shì)非常嚴(yán)峻”(伊藤)。盡管削減生產(chǎn)成本的努力仍將繼續(xù),但2005財(cái)年的聯(lián)合業(yè)績(jī)預(yù)計(jì)將會(huì)減收減益。銷售額和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)分別為9700億日元(比上財(cái)年減少3%)和200億日元(同比減少61%)。 


          90nm工藝閃存05下半財(cái)年投入量產(chǎn) 


            在按金額計(jì)算占據(jù)全球市場(chǎng)份額2成多的微控制器方面,將通過(guò)增加配備閃存EEPROM的高附加值產(chǎn)品的銷售,維持穩(wěn)定的收益。與此同時(shí),“由于2005財(cái)年韓國(guó)與歐洲將穩(wěn)步推進(jìn)手機(jī)液晶面板由STN方式向TFT方式的過(guò)渡”(伊藤),所以江爭(zhēng)取進(jìn)一步擴(kuò)大液晶驅(qū)動(dòng)IC的業(yè)務(wù)規(guī)模。在閃存EEPROM方面,計(jì)劃2005財(cái)年下半期投產(chǎn)4Gbit產(chǎn)品。“作為AG-AND方式的首個(gè)產(chǎn)品,盡管1Gbit產(chǎn)品在量產(chǎn)之初遭遇了一些困難,但我想可以吸取其中的經(jīng)驗(yàn),使4Gbit產(chǎn)品順利地量產(chǎn)”(伊藤)。 


            2005財(cái)年的設(shè)備投資約為800億日元。其中約300億日元將用于加強(qiáng)采用300mm晶圓的半導(dǎo)體生產(chǎn)體制。該公司在那珂第二工廠的“N3廠房”,正在使用300mm晶圓量產(chǎn)半導(dǎo)體。目前已經(jīng)將N3廠房的二層樓房(1萬(wàn)2000m3)擴(kuò)充成130nm工藝閃存EEPROM和SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)的生產(chǎn)車間。通過(guò)對(duì)N3廠房的追加投資,在空閑的一層樓房(1萬(wàn)2000m3)里安裝生產(chǎn)設(shè)備。另外,2005財(cái)年下半期還將投產(chǎn)90nm工藝閃存EEPROM。這樣一來(lái), N3廠房300mm晶圓的處理能力將提高至每月1萬(wàn)4000枚。按計(jì)劃,2006財(cái)年上半期將在SoC中采用90nm工藝,2006年下半期將在閃存EEPROM中開(kāi)始65nm工藝的量產(chǎn)。


          關(guān)鍵詞: 瑞薩

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