英特爾芯片技術40年來大突破 漏電量將銳減

　　6月13日消息，英特爾的基本晶體管設計取得了一項巨大的進步。英特爾披露稱，它正在使用兩種全新的材料制作45納米晶體管的絕緣層和開關柵。

　　據chinapost.com.tw網站報道，英特爾下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多內核處理器將使用數(shù)億個這種微型晶體管。英特爾稱，它有5個早期版本的產品正在運行。這是英特爾計劃生產的15個45納米處理器中的第一個。

　　這種晶體管能夠讓英特爾繼續(xù)提供創(chuàng)紀錄的臺式電腦、筆記本電腦和服務器處理器的速度，同時減少晶體管的漏電量。晶體管漏電影響到芯片和PC設計、尺寸、耗電量、噪聲和成本。這個技術還將保證摩爾定律在下一個10年仍然發(fā)揮作用。

　　英特爾認為，通過推出可以工作的代號為“Penryn”的45納米處理器，英特爾已經把它領先于半導體行業(yè)其它競爭對手的優(yōu)勢擴大到了一年以上。

　　英特爾是第一個在45納米技術中采用創(chuàng)新方法把新材料結合在一起的公司。這些新材料將顯著減少晶體管的漏電量和提高性能。英特爾將使用一種屬性稱作“high-k”的新材料制作晶體管柵絕緣體，用一種新的金屬材料組合制作晶體管柵電極。

　　英特爾共同創(chuàng)始人Gordon Moore說，采用“high-k”和金屬材料標志著自從60年代末推出多晶硅柵MOS晶體管以來晶體管技術的一個最大的變化。

　　英特爾高級研究員Mark Bohr說，在45納米工藝技術中采用“high-k”和金屬柵晶體管將使英特爾能夠提供速度更快、更節(jié)能多內核產品，把摩爾定律延續(xù)到下一個10年。