IR推出新型高性能2通道120W D類(lèi)音頻放大器
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IR 亞太區(qū)高級(jí)銷(xiāo)售副總裁曾海邦表示:“這種參考設(shè)計(jì)可在60W 、4Ω時(shí)提供0.004%的THD+N,顯示出IR先進(jìn)的硅技術(shù)可讓用戶利用D類(lèi)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)獲得最佳的音頻性能?!?
與IR的200V數(shù)字音頻驅(qū)動(dòng)IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數(shù)字音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設(shè)計(jì),是一種2通道、120W 半橋設(shè)計(jì),在120W 、4Ω條件下可實(shí)現(xiàn)96%的效率。該設(shè)計(jì)也結(jié)合了多種關(guān)鍵保護(hù)功能,包括過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、直流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)等。新設(shè)計(jì)還提供管理功能,例如用于前置放大器仿真信號(hào)處理的+/- 5V電源,用于D類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)級(jí)的 -B作參考的+12V電源 (Vcc)。這個(gè)2通道設(shè)計(jì)可擴(kuò)展功率及通道數(shù)目,在正常運(yùn)行情況下無(wú)需使用散熱器。
新參考設(shè)計(jì)基于的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì),具有特別
為D類(lèi)音頻放大器應(yīng)用設(shè)計(jì)的浮動(dòng)PWM輸入。其雙向電流檢測(cè)可在無(wú)需外置分流電阻的情況下,在正及負(fù)的負(fù)載電流條件下監(jiān)測(cè)過(guò)流狀況。內(nèi)置的保護(hù)控制模塊可提供針對(duì)過(guò)流條件的安全保護(hù)程序和可編程復(fù)位定時(shí)器。內(nèi)置死區(qū)時(shí)間生成模塊則有助于精確的柵極開(kāi)關(guān),最佳死區(qū)時(shí)間設(shè)置可提供更佳的音頻性能,例如較低的總諧波失真 (THD) ,以及較低的音頻背景噪聲。
配合新參考設(shè)計(jì)使用的IRF6645功率MOSFET,為IR DirectFET系列的成員。創(chuàng)新的DirectFET封裝技術(shù)通過(guò)減少引線電感提升了開(kāi)關(guān)性能,并降低了EMI噪聲,從而增強(qiáng)了D類(lèi)音頻放大器電路的性能。其較高的熱效率有助于實(shí)現(xiàn)在4Ω阻抗下的120W 運(yùn)行,加上無(wú)需使用散熱器,所以不僅能縮小電路尺寸,更可在線路布局方面提供更大的靈活性,同時(shí)降低整個(gè)放大器系統(tǒng)成本。
評(píng)論