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          IDT 支持10 Gbit/s 數(shù)據(jù)傳輸速率的下一代流量控制管理多隊(duì)列器件

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          作者:eaw 時(shí)間:2005-06-06 來源:eaw 收藏


          高性能多隊(duì)列器件增加了排隊(duì)的靈活性和更高的存儲(chǔ)密度,
          支持下一代平臺(tái)的QoS

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/6619.htm

          通信集成電路領(lǐng)導(dǎo)廠商?公司 (Integrated Device Technology, Inc.;納斯達(dá)克上市代號(hào):I) 推出新的10 Gbps Multi-Queue (多隊(duì)列)流量控制 (FCM) 集成電路產(chǎn)品系列。新的器件可提供10 Mbits 的存儲(chǔ)密度、支持超過10 Gbps 的高速速率、提供166 MHz DDR (Double Data Rate, 雙倍數(shù)據(jù)速率)的接口,數(shù)據(jù)總線可設(shè)置為x40 bit,并可提供高達(dá)13.3 Gbps 的數(shù)據(jù)吞吐量。另外,該器件還支持下一代高吞吐量平臺(tái),如W-CDMA基站、大規(guī)模數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、高速影像處理設(shè)備,以及新出現(xiàn)的達(dá)9 KB 的超長(zhǎng)信息包的10G/1G 以太網(wǎng)交換器/路由器等對(duì)服務(wù)質(zhì)量 (QoS) 的需求。

          公司流量控制管理部產(chǎn)品總監(jiān) Michael Olsen 先生表示:“在實(shí)現(xiàn)更大的排隊(duì)靈活性、更高的存儲(chǔ)密度及更快的數(shù)據(jù)傳輸速率方面,我們新型的多隊(duì)列流量控制器件可提供一個(gè)先進(jìn)的解決方案,以支持客戶變化的數(shù)據(jù)緩沖需求。隨著數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)變得更快和更復(fù)雜,IDT 承諾幫助設(shè)計(jì)師應(yīng)對(duì)高速度帶來的挑戰(zhàn)。隨著新器件的推出,我們現(xiàn)在可提供一個(gè)密度從0.5 Mbits 到10 Mbits 并實(shí)現(xiàn)高達(dá)166 MHz  DDR接口的完整的多隊(duì)列流量控制器件產(chǎn)品線?!?/p>

          Semico Research 高級(jí)分析師 Rich Wawrzyniak 補(bǔ)充道:“在高性能網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)領(lǐng)域,9 KB信息包越來越普遍,而系統(tǒng)架構(gòu)師需要盡可能有效地處理數(shù)據(jù)。IDT多隊(duì)列流量控制器件可實(shí)現(xiàn)13.3 Gbps 運(yùn)行速度,不僅可緩沖數(shù)據(jù),還可同時(shí)解決許多在10 Gbps 和更高速度的通信設(shè)備設(shè)計(jì)中的數(shù)據(jù)流量控制問題?!?/p>

          下一代IDT增強(qiáng)型多隊(duì)列流量控制器件

          IDT的新一代器件將性能提高了兩倍,增強(qiáng)了交換靈活性并增加了隊(duì)列的大小,從而打造出一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)據(jù)緩沖解決方案。x40 位讀/寫總線運(yùn)行在166 MHz DDR 上,可為高性能排隊(duì)提供超過10 Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。對(duì)于運(yùn)行在10 Gbips 或更高速度上的系統(tǒng)來說,設(shè)計(jì)師能夠使用新型多隊(duì)列流量控制器件實(shí)現(xiàn)在入口和出口的優(yōu)先排序和服務(wù)質(zhì)量。而且,由于多隊(duì)列流量控制器件支持高吞吐量,客戶可以將該器件設(shè)置為一個(gè)大型 DDR FIFO器件,支持?jǐn)?shù)據(jù)流中的高速緩存。

          增強(qiáng)的排隊(duì)靈活性和可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)包簡(jiǎn)化執(zhí)行的能力,使IDT的產(chǎn)品具備了一個(gè)獨(dú)一無二的特性模式,它可使用戶監(jiān)測(cè)給定包上的特征,并使設(shè)計(jì)師有足夠時(shí)間對(duì)這些跡象做出反應(yīng),如客戶可定義包終止位 (EOP) 做出反應(yīng)。而且,多隊(duì)列流量控制器件具有足夠的靈活性以記憶 EOP 標(biāo)記和保證隊(duì)列再次訪問時(shí)沒有包丟失。

          新型隊(duì)列流量控制器件有一個(gè)內(nèi)部鎖相環(huán)路 (PLL),可提供一種源同步輸出讀取時(shí)鐘 (Echo clock),該時(shí)鐘可為下游器件的輸出讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行中心對(duì)齊。源同步讀取時(shí)鐘可將讀取數(shù)據(jù)時(shí)間減至0.5 ns,并使多隊(duì)列流量控制器件運(yùn)行在高 DDR 頻率,以滿足10 Gbps 的線速。

          新器件構(gòu)建于創(chuàng)新的4 Mbit 多隊(duì)列系列構(gòu)架上,還可提供其他增值特性,如:總線匹配、頻率匹配、可配置排隊(duì)、用戶可選 I/O、可編程空白、部分空白、全部和部分滿標(biāo)記、“標(biāo)記和重寫”及“標(biāo)記和重讀”。

          其他技術(shù)亮點(diǎn)包括: 

          o 對(duì)10G 以太網(wǎng)器件進(jìn)行被動(dòng)互連的802.3ae XGMII 規(guī)范的電氣兼容性
          o 可進(jìn)行簡(jiǎn)單初始化配置的128、64、32、16、8或4對(duì)稱隊(duì)列的可編程缺省隊(duì)列設(shè)置。可編程設(shè)置為128個(gè)以內(nèi)的任何隊(duì)列數(shù)。
          o 1.8 伏內(nèi)核有助于在高速、高耗能應(yīng)用中節(jié)省電能
          o 對(duì)任何隊(duì)列數(shù)和任何芯片數(shù)的可用擴(kuò)展。通常使用8個(gè)器件即可限制2,000個(gè)隊(duì)列和80 Mbits緩沖的總線負(fù)載應(yīng)用。

          定價(jià)和上市時(shí)間

          IDT提供全系列具有靈活的接口、可選端口總線寬度、電壓和速度的多隊(duì)列器件。新型10 Gb 多隊(duì)列流量控制系列產(chǎn)品的OEM批量?jī)r(jià)格在 81.5到105美元之間。更多產(chǎn)品信息,請(qǐng)登錄IDT 網(wǎng)站:http://www.idt.com/products/fcm.html

          型號(hào) 技術(shù)規(guī)范 包類型 樣品日期 量產(chǎn)日期 價(jià)格/萬片
          72P51777L6BB 10Mbit 存儲(chǔ)密度,1.8 V 內(nèi)核,166 MHz DDR 376-PBGA 現(xiàn)可供貨 2005年6月 $99.50
          72P51767L6BB 5Mbit 存儲(chǔ)密度,1.8 V 內(nèi)核,166 MHz DDR 376-PBGA 現(xiàn)可供貨 2005年6月 $85.50

          流量控制管理集成電路

          作為通信市場(chǎng)創(chuàng)新產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商,IDT繼續(xù)發(fā)展其在集成先進(jìn)內(nèi)存和邏輯架構(gòu)方面的獨(dú)特競(jìng)爭(zhēng)力,并創(chuàng)造了一種全新的增值半導(dǎo)體解決方案 —— 流量控制管理 (FCM) 器件。FCM 產(chǎn)品可為提供子系統(tǒng)間數(shù)據(jù)流的訪問和/或排隊(duì),以及明確的附加功能,如:管轄、整理、調(diào)度或引導(dǎo)數(shù)據(jù)。FCM 器件對(duì)于通信子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有深遠(yuǎn)影響,同時(shí)也對(duì)醫(yī)療、視頻和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用有很大的幫助。該器件取代了傳統(tǒng)的系統(tǒng)內(nèi)數(shù)據(jù)流量管理方法,而在此之前這是由多個(gè) ASIC、FPGA和外部 SRAM、DRAM 或 FIFO完成的。IDT FCM 產(chǎn)品線包括執(zhí)行包交換、排隊(duì)和復(fù)接功能的器件。



          關(guān)鍵詞: IDT

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