NEC低噪音放大器面向2GHz到8GHz的衛(wèi)星接收

新產(chǎn)品與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品相比，將放大信號(hào)時(shí)的噪音降低了0.1dB，將放大部分的電平提高了1.5dB，有利于降低特性偏差。用戶使用新產(chǎn)品，可以提高汽車音響、便攜式音樂播放器等接收信號(hào)的靈敏度，從而擴(kuò)大接收信號(hào)的范圍，實(shí)現(xiàn)接收設(shè)備的小型化、低成本化。

新產(chǎn)品的樣品價(jià)格為30日元/個(gè)，批量生產(chǎn)將從2007年9月開始，初期的生產(chǎn)規(guī)模為10萬(wàn)個(gè)/月，預(yù)計(jì)到2008年生產(chǎn)規(guī)模將達(dá)到100萬(wàn)個(gè)/月。

NEC電子此次推出的新產(chǎn)品是專門針對(duì)衛(wèi)星廣播領(lǐng)域開發(fā)的產(chǎn)品，因此非常重視低噪音特性。新產(chǎn)品的主要特征如下。

(1)低噪音特性及高增益性能均為業(yè)界最高水平

通過優(yōu)化外延層(Epitaxiallayer)結(jié)構(gòu)，使放大信號(hào)時(shí)的噪音與現(xiàn)有產(chǎn)品相比降低了0.1dB，使放大部分的電平提高了1.5dB，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高水平的低噪音特性及高增益性能。

(2)可支持較寬的頻率

可接收從2GHz到8GHz的寬頻帶范圍的信號(hào)，并進(jìn)行放大。

(3)使用NEC電子獨(dú)有的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HJ-FET)技術(shù)

在此次的產(chǎn)品中，使用了NEC電子獨(dú)有的用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應(yīng)層將砷化鎵銦(InGaAs)溝道層夾在中間的結(jié)構(gòu)。此次，NEC電子不僅通過使用獨(dú)有的電極形成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超低噪音的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HJ-FET)，還通過改善外延層的結(jié)構(gòu)及芯片生產(chǎn)條件，降低芯片生產(chǎn)過程中所產(chǎn)生的特性偏差。