RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器

非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中，以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理系統(tǒng)，而這是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應用的非易失性變量的理想選擇，包括從傳感器與計量儀表到工業(yè)控制、儀表與醫(yī)療設備等應用。

Ramtron戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理David Lee稱：“我們針對需要較低密度F-RAM進行實時數(shù)據(jù)采集和存儲的客戶，擴展了Versa 8051產(chǎn)品系列即推出帶2KB  F-RAM的MCU。VRS51L3072的高性能內核可控制外設及采集數(shù)據(jù)，而其板載數(shù)字信號處理 (DSP) 功能則會處理數(shù)據(jù)，然后存儲在F-RAM內。這款產(chǎn)品與我們的8KB F-RAM MCU引腳兼容，對于那些需要少于8KB F-RAM的應用來說，是一種別具成本效益的替代方案?！?

F-RAM替代Flash/EEPROM存儲非易性數(shù)據(jù)存儲

F-RAM能夠消除Flash數(shù)據(jù)存儲器相關的先頭編碼、有限的耐用性及Flash/EEPROM延長的寫入周期，從而簡化設計流程。與Flash不同，F(xiàn)-RAM字節(jié)無需首次擦除整個扇區(qū)即可進行改動，使用更為便捷。而且與Flash/EEPROM不同的是F-RAM能夠無限次的讀/寫和快速寫入數(shù)據(jù)。

VRS51L3072將2KB F-RAM與完全集成的高性能系統(tǒng)級芯片 (System-on-chip)相結合，其特性包括40 MIPS單周期8051內核、同時具有ISP和IAP編程功能的64KB Flash、4KB SRAM、數(shù)字信號處理 (DSP) 擴展功能及穩(wěn)健的數(shù)字外圍設備。VRS51L3072在整個工業(yè)溫度范圍內以3.3V電壓工作，是多種先進應用的理想嵌入式數(shù)據(jù)采集解決方案。

VRS51L3072 特點：

2KB F-RAM：2048 byte的真正非易失性RAM (無需電池/超級電容便可保存數(shù)據(jù)) 映射到VRS51L3072的XRAM存儲器上，具有簡單訪問、快速讀寫和幾乎無限讀寫壽命的特點。

40MHz、單周期8051處理器：這是市場上最快速的8位處理器之一，其先進的內核可提供高達40 MIPS的吞吐量，并且與標準8051s指令兼容，以實現(xiàn)器件的順暢轉移。

帶32位桶式移位器 (Barrel Shifter) 的MULT/ACCU/DIV單元：此硬件計算引擎在執(zhí)行DSP操作時 (FIR過濾、傳感器輸出線性化、多字節(jié)算術運等)，其性能顯著優(yōu)于8位處理器。并能在一個周期中執(zhí)行16位有符號的乘法和32位加法，及在5個周期中執(zhí)行16位有符號的除法。桶式移位器實現(xiàn)了邏輯/算法轉換操作。

40MHz內部晶振：內部振蕩器無需外部晶體振蕩器，有助于降低系統(tǒng)成本。

USB-JTAG接口：用于快速的用戶友好器件編程和實時的在線調試/仿真，無需昂貴的仿真器。

帶波特率 (Baud Rate) 發(fā)生器的雙UART：這個通用異步接收器/發(fā)射器的最大工作速度為1.25 Mbps。每個UART均帶有獨立的具有20位分辨率的波特率發(fā)生器。

增強的SPI：串行外設接口的通信速度可以配置達20 Mbps，發(fā)送數(shù)據(jù)長度可在1到32位間調節(jié)。

PWC：兩個脈寬計數(shù)器模塊，提供先進的定時器控制功能，可簡化事件間隔時間測試。

PWM：包含8個脈寬調制器，具有高達16位的可調節(jié)分辨率。每個PWM都有自己獨立的定時器，并可以作為通用定時器使用。

其他支持外設包括一個I?C接口、3個16位通用定時器/計數(shù)器連3個定時器捕捉輸入口、1個看門狗定時器和共享16個中斷矢量的49個中斷源。

供貨

現(xiàn)可提供VRS51L3072的工程樣品，并采用符合RoHS標準的 64-QFN封裝。

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