Ramtron發(fā)布可替代SRAM的1兆位鐵電存儲(chǔ)器

Ramtron國際公司宣布推出1兆位的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品 ---- FM20L08。此型號(hào)的操作電壓為3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封裝。FM20L08 是 Ramtron 目前生產(chǎn)的容量最大的鐵電存儲(chǔ)器，可以對(duì)其進(jìn)行無限次的讀寫操作。該型號(hào)是專門設(shè)計(jì)用來替換標(biāo)準(zhǔn)異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的 (Standard asynchronous SRAM)。同時(shí)，這個(gè)型號(hào)還特別適用電壓多樣或者電壓會(huì)突然丟失的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)系統(tǒng)，如機(jī)頂盒、汽車遠(yuǎn)程信息處理以及工業(yè)應(yīng)用等系統(tǒng)。

作為對(duì) Ramtron 現(xiàn)有并口鐵電存儲(chǔ)器型號(hào)重要補(bǔ)充，F(xiàn)M20L08 在地址轉(zhuǎn)換檢測 (ATD) 方面可以與 SRAM 完全兼容，它允許用戶在芯片使能有效的情況下改變地址。FM20L08 的內(nèi)存訪問方式與 SRAM 類似，極大的簡化了設(shè)計(jì)工程師使用非易失性 RAM 時(shí)所需要做的工作。

Ramtron 鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品副總裁 Mike Alwais 說：“當(dāng)設(shè)計(jì)工程師使用我們的并口鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品時(shí)，新的 ATD 設(shè)計(jì)方案極大的方便了他們的設(shè)計(jì)工作。這個(gè)產(chǎn)品可以直接用于為 SRAM 設(shè)計(jì)的方案中，這樣的話，我們就可以很方便的用 FM20L08 替代那種不受歡迎的且需要后備電池的 SRAM 的解決方案。FM20L08 還擁有多樣的目標(biāo)市場應(yīng)用領(lǐng)域，而且我們現(xiàn)在已經(jīng)看到了很多重要的客戶對(duì) FM20L08 的樣片非常的感興趣，終端應(yīng)用的領(lǐng)域?yàn)椋浩囘h(yuǎn)程信息處理、機(jī)頂盒、工業(yè)控制以及儀表等。”

Ramtron 設(shè)計(jì) FM20L08 的目標(biāo)就是“易于使用”。除了能夠完全兼容標(biāo)準(zhǔn)SRAM，F(xiàn)M20L08 還包含一個(gè)內(nèi)部的電壓監(jiān)控器用來阻止低電壓進(jìn)入，保護(hù)已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。這個(gè)監(jiān)控器會(huì)連續(xù)不斷的檢查工作電源電壓，當(dāng)工作電壓低于一個(gè)臨界值時(shí)，它就會(huì)發(fā)出一個(gè)低電壓信號(hào)表明現(xiàn)在存儲(chǔ)器已處于一個(gè)寫保護(hù)的狀態(tài)。當(dāng) /LVL 信號(hào)很弱的時(shí)候，存儲(chǔ)器就被保護(hù)起來，防止無意中的訪問和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)損壞。FM20L08 還有軟件控制的寫保護(hù)功能。整個(gè)內(nèi)存被分成八個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域都可能通過軟件單獨(dú)設(shè)置寫保護(hù)，而不需要硬件或改變管腳排列。為了給現(xiàn)在的高性能微處理器提供一個(gè)方便的接口，F(xiàn)M20L08 包含一個(gè)高速的頁面模式，這種模式可以允許在比傳統(tǒng)隨機(jī)存取器更高的總線速度的情況下，進(jìn)行四字節(jié)脈沖的讀寫操作。
FRAM 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)

所有的數(shù)據(jù)一旦被寫入鐵電存儲(chǔ)器，就立即變成非易失性，并且不像老技術(shù)生產(chǎn)的非易失存儲(chǔ)器一樣出現(xiàn)延時(shí)現(xiàn)象。所有的鐵電存儲(chǔ)器都是非易失性的，在失去電源的情況下，數(shù)據(jù)仍然被保存在芯片中。與其它非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)相比，鐵電存儲(chǔ)器能提供非易失性的數(shù)據(jù)保存，免除了人們對(duì)存儲(chǔ)器可靠性的擔(dān)憂、對(duì)功能性的缺點(diǎn)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性的擔(dān)憂，而這些擔(dān)憂都是需要后備電池的 SRAM (BBSRAM) 所存在的不足。此外，鐵電還具有非?？斓膶懭胨俣纫约盁o限次的擦寫壽命，而這些特點(diǎn)都優(yōu)于其它類型的非易失性存儲(chǔ)器 (例如：EEPROM 或者 Flash 等)。

鐵電存儲(chǔ)器比 BBSRAM 更先進(jìn)，單片集成電路的特質(zhì)所帶來的高可靠性，使得鐵電存儲(chǔ)器不需要在電路板上或者外部安裝電池來備份數(shù)據(jù)。FM20L08 是一種真正的表面組裝解決方案，不需要為配備附加電池而重復(fù)工作步驟，對(duì)負(fù)電壓和負(fù)脈沖信號(hào)有著非常高的抵御能力，而對(duì)于這些方面，SRAM是無能為力的。

產(chǎn)品特性

FM20L08 的容量為 28K x 8。其讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn) SRAM 相同。訪問進(jìn)入時(shí)間為 60 ns。高速的頁模式操作總線速度最高可達(dá)到 33MHz，4 字節(jié)脈沖。寫操作無延時(shí)，也沒有最大寫操作緩沖大小限制。操作電壓從 3.3V 開始，和標(biāo)準(zhǔn)SRAM 相比，需要消耗的操作電流更少，因而操作耗能更少。FM20L08目前有兩種型號(hào)，分別可滿足工業(yè)溫度 (-40℃ 到 +85℃) 和商業(yè)溫度 (0℃ 到 +70℃) 的需求。商業(yè)溫度型 cycle time 為 150 ns；工業(yè)溫度型號(hào)的 cycle time為 350 ns。

價(jià)格及供貨情況

FM20L08 樣片 (32-pin TSOP) 現(xiàn)在可供立即申請，10,000 片以上單片價(jià)格為 13.65 美元 。此型號(hào)為綠色無鉛封裝。

Ramtron 計(jì)劃下半年開始批量生產(chǎn)此型號(hào)。到目前為止，Ramtron已經(jīng)給客戶發(fā)出了數(shù)百片 FM20L08 樣片用來評(píng)估此型號(hào)。