DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

　　現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。

　　十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預(yù)期十一月DRAM價格沒有反彈行情，下旬就沒有太大的拿貨意愿。十月截至目前為止，部分OEM甚至完全沒有任何采購DRAM的動作，整體市況較九月上、下旬都還要冷清。

　　需求不振、供給過剩，近期市場依然疲弱

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新觀察報告指出，縱使中國市場結(jié)束十一長假，市場參與者皆已回籠，然而現(xiàn)貨市場成交量并無顯著的放大。整體而言，十月需求在今年并未出現(xiàn)，加上目前大模塊廠應(yīng)備的庫存水位已足夠，小模塊廠則是抱著“貨好賣才買”的心態(tài)，使得現(xiàn)貨市場緩沖區(qū)機制消失，價格變得更為敏感。縱使量縮價格敏感，近期DDR2512MbeTT價格在跌至1美元附近后的反彈力道并不強，可見市場賣壓仍沉重。當今不論在現(xiàn)貨市場或合約市場，DDR2交投都相當冷清，買方意愿薄弱，近期就算有任何的利多，也未對市場產(chǎn)生太大的加溫跡象。

　　十月上旬NANDFlash合約價下跌0-10%;短期內(nèi)可望相對持穩(wěn)

　　十月上旬NANDFlash合約價平均跌幅在0-10%左右，其中MLC顆粒跌幅較大，主要是反應(yīng)供貨商新制程所開出的MLC產(chǎn)出量將在今年第四季有明顯增加;至于低容量的SLC顆粒，則因為供給量逐漸減少的關(guān)系，價格呈現(xiàn)止穩(wěn)小漲的情況。自九月以來NANDFlash價格已經(jīng)大幅向下修正過，然而下游客戶以降價來刺激買氣，反應(yīng)NANDFlash成本下降的動作，通常會比較延滯一段時間。市場預(yù)期來自降價效應(yīng)的買氣將在十月下旬至十一月才會逐漸浮現(xiàn)，因此集邦科技(DRAMeXchange)預(yù)期在短期內(nèi)NANDFlash合約價格有機會相對持穩(wěn)。